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龙图腾网获悉五邑大学申请的专利一种高抗性的光纤耦合结构、光纤耦合器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117170023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210572746.4，技术领域涉及：G02B6/255；该发明授权一种高抗性的光纤耦合结构、光纤耦合器及其制备方法是由于洋;李婉君;陈昭坤;于亚楠;李春冉;林历;马壮;曾庆光;肖廷辉设计研发完成，并于2022-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高抗性的光纤耦合结构、光纤耦合器及其制备方法在说明书摘要公布了：本文提供了一种高抗性的光纤耦合结构、光纤耦合器及其制备方法。光纤耦合结构包括一根输入光纤；和至少一根耦合光纤；所述输入光纤与所述耦合光纤熔融耦合，以形成光纤耦合区；其中所述光纤耦合区的中心光纤直径大于或等于26μm；所述光纤耦合结构的耦合分光比可为任意所需分光比。提供的光纤耦合结构具有直径变大以及变长的光纤耦合区使得器件变得更加结实，提高了耐振动、耐高温、耐高湿性能，从而极大地提高了器件的寿命。

本发明授权一种高抗性的光纤耦合结构、光纤耦合器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光纤耦合结构的制备方法，应用于制备光纤耦合结构的装置，包括加热源、拉伸平台和控制器，其中： 所述加热源可移动地装设于导轨上；所述加热源的移动由与其电性连接的所述控制器进行控制；所述拉伸平台由与其电性连接的所述控制器进行控制； 所述制备方法包括以下步骤： S1.去除光纤的待耦合区段的涂覆层，将去除涂覆层的光纤的待耦合区段的两端固定于拉伸平台上，并使光纤的待耦合区段靠拢， S2.采用所述加热源对所述光纤的待耦合区段进行加热熔融，并拉伸形成光纤耦合结构；其中所述加热源能够对一定宽度的光纤待耦合区段同时或在较短时间间隔内进行加热熔融； 所述光纤耦合结构包括一根输入光纤；和至少一根耦合光纤；所述输入光纤与所述耦合光纤熔融耦合，以形成光纤耦合区；其中所述光纤耦合区的中心光纤直径大于或等于26μm；所述光纤耦合区的长度在5-20mm的范围内；所述光纤耦合结构的耦合分光比在1:99至50:50的范围内； 整个制备过程按照时间分成三个阶段： 第一时间段，参数设置为加热源移动速度为1000-20000μms，往复移动距离为1000-50000μm，氢气的流量设置为50-500SCCM，氧气的流量设置为100-100SCCM，拉伸平台速度为零； 第二时间段，参数设置为加热源扫描速度1000-20000μms，往复移动距离1000-50000μm，拉伸速度50-500μms，氢气的流量设置为50-500SCCM，氧气的流量设置为100-100SCCM； 第三时间段，参数设置为加热源扫描速度1000-20000μms，往复移动距离1000-50000μm，拉伸速度50-500μms，氢气的流量设置为50-500SCCM，氧气的流量设置为0-100SCCM。

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