武汉科技大学高标获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉武汉科技大学申请的专利一种具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117247017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310538492.9，技术领域涉及：C01B33/02；该发明授权一种具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料、制备方法及其应用是由高标;佘永年;霍开富;项奔;梅士雄设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料，涉及锂离子电池技术领域。所述材料具有蚁巢状或珊瑚状结构的多孔硅骨架，多孔硅骨架表面具有一层MgSiN2纳米涂层。所述材料的制备方法包括：将硅化镁粉末在含氮气氛中加热至一定温度，保温一定时间；将温度再升温，通入N2气体，保温一定时间；保温时间结束，冷却至室温后，酸洗处理，去除氮化镁，得到了所述具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料。本发明合成过程简单可控，环境友好，能源消耗相对较低；本发明得到的材料结构稳定，在锂离子电池中的应用具有高首效、长循环能力好、倍率性能优异、大电流密度下稳定性好的优点，具有大规模制备的潜力和很好的商业应用前景。
本发明授权一种具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料的制备方法，包括如下步骤： 1将硅化镁粉末在含氮气氛中加热至700-800℃，保温3-6h； 2停止通入含氮气体，将温度再升温，升温至下一温度后，通入N2，保温一定时间； 3保温时间结束，冷却至室温后，取出粉末酸洗处理，去除氮化镁，得到所述具有MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料； 硅化镁的粒径尺寸为1-7μm；步骤1，含氮气氛包括NH3、N2其中一种或者两种；步骤2升温至800-900℃，保温1-30分钟；步骤3中所述酸为盐酸，所述酸洗的时间为1-3h； 所述MgSiN2纳米涂层的多孔硅材料具有蚁巢状或珊瑚状结构的多孔硅骨架，多孔硅骨架表面具有一层MgSiN2纳米涂层；材料的颗粒尺寸为1-7μm；MgSiN2纳米涂层的厚度为3-50nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉科技大学，其通讯地址为：430081 湖北省武汉市和平大道947号武汉科技大学钢铁楼805室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励