北京航空航天大学王浩获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种元素横向梯度的PFM薄膜成分含量计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117275597B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311228508.2，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权一种元素横向梯度的PFM薄膜成分含量计算方法是由王浩;袁悦;程龙;吕广宏设计研发完成，并于2023-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种元素横向梯度的PFM薄膜成分含量计算方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种元素横向梯度的PFM薄膜成分含量计算方法，构建多元合金靶材和钨靶材的磁控溅射体系，计算时用多元合金靶材和钨靶材的质心来替代多元合金靶材和钨靶材，靶材与衬底的竖直距离为h，衬底的长度为l，钨靶材和多元合金靶材的质心至衬底位置的连线与竖直方向的角度分别为α1、α2；根据钨靶材的溅射功率为p1和多元合金靶材的溅射功率为p2，及各元素原子运动速度及占比，计算出呈梯度变化的薄膜的各元素含量。
本发明授权一种元素横向梯度的PFM薄膜成分含量计算方法在权利要求书中公布了：1.一种元素横向梯度的PFM薄膜成分含量计算方法，其特征在于，包括如下步骤： 构建多元合金靶材和钨靶材的磁控溅射体系，计算时用多元合金靶材和钨靶材的质心来替代多元合金靶材和钨靶材，靶材与衬底的竖直距离为h，衬底的长度为l，钨靶材和多元合金靶材的质心至衬底位置的连线与竖直方向的角度分别为α1、α2； 靶原子的发射速度与溅射功率的平方根成正比，即钨靶材的溅射功率为p1，多元合金靶材的溅射功率为p2，运动时间为t，靶中钨的含量百分比为n，多元合金的含量百分比为1-n，钨原子的运动路径为l1，多元合金原子的运动路径为l2，钨原子的运动速度为v1，多元合金原子的运动速度为v2； 溅射功率不同时： 则衬底上钨的摩尔含量百分比： 溅射功率相同时：即p1＝p2，则式1可以简化为 。
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