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龙图腾网获悉齐鲁工业大学(山东省科学院);山东加睿晶欣新材料股份有限公司申请的专利一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117361534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311321819.3，技术领域涉及：C01B32/984；该发明授权一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法是由张福生;郝霄鹏;吴拥中;邵永亮;张保国;胡海啸;龚圣智;赵宇;吕洪设计研发完成，并于2023-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法，将高纯碳化硅单晶晶体进行裂解或破碎，筛分出10‑200μm粒径的碳化硅粉与高纯碳粉混合；将混合均匀的碳粉和硅粉置于石墨坩埚底部，混合的碳化硅粉与高纯碳粉置于上部，加装石墨盖封住，置于高温烧结炉中，封闭好炉腔，抽真空；升温至1050~1350℃，保温1~15h，通入高纯氩气到腔内压力到10000‑80000Pa，继续升温至1750~2000℃，保温8~15h，实现底部碳化硅粉料的合成，继续升温至2000‑2500℃，同时降低炉腔内压力值在1000～10000Pa，持续通入高纯氩气流量为5‑800sccm，保温30~80h；停止通入氩气，冷却至室温，得高晶质半导体碳化硅粉料。高晶质半导体碳化硅粉料可应用于制备高性能、低缺陷、低包裹物密度的第三代半导体材料碳化硅单晶材料。

本发明授权一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高晶质半导体碳化硅粉料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将高纯碳化硅单晶晶体进行裂解或机械破碎，筛分出10-200μm粒径的碳化硅粉与高纯碳粉混合； 2将碳粉和硅粉混合均匀后置于石墨坩埚底部，然后将步骤1混合的碳化硅粉与高纯碳粉置于石墨坩埚上部，加装石墨盖封住，将坩埚置于高温烧结炉中，封闭好炉腔，抽真空； 3对真空腔进行加热，升温至1050~1350℃，保温1~15h，通入高纯氩气到腔内压力到10000-80000Pa，继续升温至1750~2000℃，保温8~15h，实现底部碳化硅粉料的合成； 4底部碳化硅粉料合成后，继续升温至2000-2500℃，同时降低炉腔内压力值在1000～10000Pa，并保持持续通入高纯氩气流量为5-800sccm，保温30~80h，以使步骤3中合成的碳化硅粉料升华后以步骤1中的所述碳化硅粉为成核生长中心点进行生长； 5停止通入氩气，缓慢冷却至室温，制备得高晶质半导体碳化硅粉料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人齐鲁工业大学(山东省科学院);山东加睿晶欣新材料股份有限公司，其通讯地址为：250353 山东省济南市西部新城大学科技园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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