华为技术有限公司武龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种半导体器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117374110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210764645.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件及电子设备是由武龙;魏巍;赵志华;侯明辰;苏帅;张亚文设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体器件及电子设备，半导体器件包括衬底、依次设置在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上设置有源电极、栅电极和漏电极。还包括第一连接孔，且至少有源区内设置有第一连接孔，第一连接孔的宽度小于源电极或漏电极的宽度。第一连接孔的第一端延伸至衬底，第一连接孔的第二端依次贯穿成核层、缓冲层延伸至沟道层内部，不贯穿沟道层，第一连接孔内填充导热介质，通过第一连接孔及第一连接孔内的导热介质就将产热点沟道层和衬底直接连接，沟道层产生的热量能够通过导热介质直接传递至衬底实现散热，有效的提升了半导体器件的散热能力，且减小或避免了第一连接孔对器件性能的影响，提升了器件的可靠性。
本发明授权一种半导体器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、外延层、源电极、漏电极和栅电极，所述外延层包括依次设置在所述衬底上的沟道层和势垒层，所述沟道层和所述势垒层形成异质结结构，所述源电极、所述漏电极和所述栅电极设置在所述势垒层上，所述半导体器件还包括有源区，部分所述源电极、部分所述漏电极和部分所述栅电极位于所述有源区内； 所述半导体器件还包括多个第一连接孔，所述第一连接孔的第一端延伸至所述衬底上，所述第一连接孔的第二端延伸至所述沟道层内，所述第一连接孔内填充有导热介质； 至少所述有源区内具有所述第一连接孔，且每个所述第一连接孔在第一方向上的宽度小于所述源电极或所述漏电极在所述第一方向上的宽度，所述第一方向平行于所述衬底且垂直于所述源电极或所述漏电极的延伸方向。
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