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龙图腾网获悉中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利一种高孔隙率碳化铀基多孔陶瓷材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117430418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311384191.1，技术领域涉及：C04B35/51；该发明授权一种高孔隙率碳化铀基多孔陶瓷材料的制备方法是由李宁;黄传群;张庆军;晏良宏;李波;易泰民;杨蒙生设计研发完成，并于2023-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高孔隙率碳化铀基多孔陶瓷材料的制备方法在说明书摘要公布了：一种高孔隙率碳化铀基多孔陶瓷材料的制备方法，涉及泡沫陶瓷材料制备技术领域，本发明是要解决现有碳化铀多孔陶瓷材料孔隙率较低、微结构调控困难、操作过程中可能存在放射性粉末污染的问题，该方法包括如下步骤：1前驱体溶液配制；2将多孔模板置于前驱体溶液中浸渍，随后在空气中干燥，上述步骤循环1～6次，获得多孔材料坯体；3多孔材料坯体高温陶瓷化处理，得到碳化铀基多孔陶瓷材料。本发明提供的碳化铀基多孔陶瓷材料的制备方法，可避免放射性粉尘污染问题，实验工艺简单，操作控制方便。制得的碳化铀基多孔陶瓷材料孔隙率高，微结构可调，可以满足其在线同位素分离技术领域的应用。

本发明授权一种高孔隙率碳化铀基多孔陶瓷材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高孔隙率碳化铀基多孔陶瓷材料的制备方法，其特征在于该方法是按以下步骤制备的： 一、将铀酰盐、有机添加剂溶于去离子水、N,N-二甲基甲酰胺和乙醇的混合溶液中，搅拌后老化1~5天，制得前驱体溶液； 二、将多孔模板置于步骤一制得的前驱体溶液中，并在低真空环境下静置处理去除多孔模板内部残余气体，随后在空气中干燥，上述步骤循环1~6次，获得多孔材料坯体； 三、将步骤二得到的多孔材料坯体置于高温炉中进行陶瓷化处理，处理温度为1450~1850℃，真空度为10-3~1000Pa，保温时间为1~24h，陶瓷化处理后冷却至室温得到的碳化铀基多孔陶瓷材料； 步骤一中所述的铀酰盐、有机添加剂与去离子水、N,N-二甲基甲酰胺、乙醇的质量体积比为3.0~35.0g：1.0~10.0g：1.0~10.0mL：1.0~10.0mL：10~100mL； 步骤二中所述的多孔模板为密胺多孔模板、聚苯乙烯多孔模板或聚-4-甲基-1-戊烯多孔模板； 步骤二中所述的低真空环境的真空度10~50kPa，所述的低真空环境下静置处理时间1~3min，所述的在空气中干燥时间12~48h；所述的有机添加剂为F127或P123，纯度≥99.9%。

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