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中南大学刘新利获国家专利权

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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种钽基高熵硅化物抗氧化涂层及其利用料浆法制备的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117512586B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311488891.5,技术领域涉及:C23C24/08;该发明授权一种钽基高熵硅化物抗氧化涂层及其利用料浆法制备的方法是由刘新利;田德祥;王德志;吴壮志;段柏华设计研发完成,并于2023-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

一种钽基高熵硅化物抗氧化涂层及其利用料浆法制备的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种利用料浆法制备的钽基涂层,所述涂层由外层、中间层和内层组成,其中:所述外层材料组分为高熵硅化物MeSi2,中间层材料组分为TaSi2,内层材料组分为Ta的低硅化物;所述Me为合金,由W、Mo、Nb、Ta、Cr中的至少三种金属元素组成。本发明还提供了上述所述涂层的制备方法,包括以下步骤:首先,钽板表面经砂纸打磨光滑后进行弱酸洗、弱碱洗、水洗和烘干。通过球磨制备前驱体粉末后,配置料浆,通过浸渍或刷涂法等将料浆均匀涂覆在钽板表面,试件在真空干燥箱中烘干固化后真空烧结,冷却至室温,完成高熵硅化物涂层的制备。本发明涂层制备工艺简单可控,可提高钽基合金的低高温抗氧化性能。

本发明授权一种钽基高熵硅化物抗氧化涂层及其利用料浆法制备的方法在权利要求书中公布了:1.一种钽基高熵硅化物抗氧化涂层,所述涂层由外层、中间层和内层组成,其特征在于:所述外层材料组分为高熵硅化物MeSi2,中间层材料组分为TaSi2,内层材料组分为Ta的低硅化物;所述Me为合金,由W、Mo、Nb、Ta、Cr中的至少三种金属元素组成; 所述的钽基高熵硅化物抗氧化涂层的制备方法,包括如下四个步骤:制备高熵硅化物前驱体粉末;制备料浆;制备涂层生坯;烧结,最终获得所述涂层; 所述制备料浆的具体步骤如下: 向所述高熵硅化物前驱体粉末中加入溶剂、烧结助剂与粘结剂,高熵硅化物前驱体粉末、溶剂、烧结助剂与粘结剂按照质量比40~50:45~55:2~6:1~4的比例混合,继续球磨5~10h,直至获得粘度均匀的料浆; 所述烧结的具体步骤如下: 将所述涂层生坯放入真空烧结炉中,烧结炉从室温开始升温至350-600℃保温1~2h,去除添加的粘结剂;再升温至1600℃~1700℃保温1-3h,最后冷却至室温,获得所述钽基高熵硅化物抗氧化涂层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中南大学,其通讯地址为:410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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