青岛科技大学付博获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛科技大学申请的专利一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117552017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311639054.8，技术领域涉及：C23G5/00；该发明授权一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法是由付博;于志鸿;王睿;王海婷;张栩朝;汪倩文;高树静;巩敦卫设计研发完成，并于2023-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法在说明书摘要公布了：本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法，包括以下步骤：将装有β‑Ga2O3晶体废料的铱金坩埚置于气氛炉中抽真空，通入氢气，气氛炉升温至800～1000℃，恒温48～72h，然后缓慢降至室温；将铱金坩埚置于体积比为水：硫酸：磷酸＝4～6：1～2：3～5的酸性液体中，加热至酸性液体沸腾后，继续沸煮3～4h；然后降温至室温，对铱金坩埚进行冲洗，氮气吹干后，将铱金坩埚真空塑封，备用。采用本发明的清理方法，在整体铱金坩埚的清理过程中未使用任何敲、凿、撬、磨等粗糙的机械手段，高效完成清理作业的同时，最大程度的保护了铱金坩埚，减少了铱金坩埚的损耗，从而降低晶体生长成本。
本发明授权一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将装有β-Ga2O3晶体废料的铱金坩埚置于气氛炉中，抽真空至炉腔内真空度≤10-1Pa后，持续抽真空1～2h； 2通入氢气至气氛炉中到达常压后，设定氢气流量120～180sccm，持续通入1～1.5h； 3将气氛炉内温度以4～5℃min的速率升温至800～1000℃，恒温保持48～72h，然后以1～2℃min的速率将炉温缓慢降至室温，取出铱金坩埚； 4将铱金坩埚置于酸性液体中，所述酸性液体为硫酸、磷酸与水的混合酸性液体，其体积比为水：硫酸：磷酸＝4～6：1～2：3～5，且水的体积等于或大于硫酸与磷酸的体积之和； 5加热至酸性液体沸腾后，继续沸煮3～4h；然后降温至室温，对铱金坩埚进行冲洗，氮气吹干后，将铱金坩埚真空塑封，备用。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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