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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117586021B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311537668.5，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权一种高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料及其制备方法和应用是由柳彦博;朱时珍;刘玲;马壮;张泽设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料化学式为Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2B2TmB4。本发明制备的Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2B2TmB4粉体和块体的相结构中含有Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2B2和TmB4两种相结构。将所得材料进行静态氧化测试，Tm与其他金属元素生成的氧化物形成连续的氧化层，封填了空隙，得到高致密度的氧化层，可以有效阻止氧气进入，降低了氧化的速率。因此，本发明制备的高熵金属二硼化物复合相材料具有优异的抗氧化性能。

本发明授权一种高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料，其特征在于，所述高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料的化学式为Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2B2TmB4；其物相结构中含有Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2B2和TmB4两种相； 所述高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料的制备方法，包括以下步骤： 将HfO2、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5、Tm2O3和B4C粉体按照化学式的化学计量比配料，混合均匀，得到混合粉体；将所述混合粉体在烘箱中干燥后，在1850℃条件下保温1h~3h，得到Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2B2TmB4粉体；所述B4C粉体的实际加入量为按照化学计量比计算得到的B4C粉体质量的135%； 将所述Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2B2TmB4粉体装入石墨模具中，采用放电感应等离子烧结在真空或惰性气体保护气氛下烧结，得到所述高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料；所述烧结的温度为1900~2200℃，压力为30~50MPa，保温时间为15~35min。

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