拓荆科技(上海)有限公司董天慧获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利一种薄膜沉积方法、装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117626233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311361616.7，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权一种薄膜沉积方法、装置及存储介质是由董天慧;朱家宽;高鹏飞设计研发完成，并于2023-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜沉积方法、装置及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜沉积方法、装置及存储介质。所述薄膜沉积方法包括以下步骤：确定一次薄膜沉积反应的窗口时长；基于薄膜厚度均一性的目标值及所述窗口时长，进行所述反应源在所述窗口时长内的时长占比实验，以确定所述反应源在所述窗口时长内的目标时长占比；确定所述反应源在所述窗口时长内的第一注入时长；确定所述反应源在所述窗口时长内的第二注入时长；确定所述反应源的预流时间，并预流所述反应源和化学源；以及响应于到达所述预流时间，向工艺腔内通入所述第二注入时长的反应源，并向所述工艺腔内通入所述化学源，以进行薄膜沉积反应。
本发明授权一种薄膜沉积方法、装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括以下步骤： 确定一次薄膜沉积反应的窗口时长； 基于薄膜厚度均一性的目标值及所述窗口时长，进行反应源在所述窗口时长内的时长占比实验，以确定所述反应源在所述窗口时长内的目标时长占比； 根据所述窗口时长及所述目标时长占比，确定所述反应源在所述窗口时长内的第一注入时长； 根据一次所述薄膜沉积反应的所需的反应源数量，确定所述反应源在所述窗口时长内的第二注入时长； 根据所述第一注入时长及所述第二注入时长的差值，确定所述反应源的预流时间，并预流所述反应源和化学源；以及 响应于到达所述预流时间，向工艺腔内通入所述第二注入时长的反应源，并向所述工艺腔内通入所述化学源，以进行薄膜沉积反应。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢304室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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