中物院成都科学技术发展中心刘显波获国家专利权
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龙图腾网获悉中物院成都科学技术发展中心申请的专利一种高良品率陶瓷粉体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117645478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311510050.X，技术领域涉及：C04B35/48；该发明授权一种高良品率陶瓷粉体及其制备方法是由刘显波;刘彤;李寅川;李绍敏;王正上;崔旭东设计研发完成，并于2023-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高良品率陶瓷粉体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高性能陶瓷粉体技术领域，具体涉及一种高良品率陶瓷粉体及其制备方法，该陶瓷粉体的化学表达式为Mg0.9Ca0.1ZrO3，烧结助剂为ZnO和V2O5。本发明开发了MgZrO3‑CaZrO3系微波介质陶瓷，并通过引入ZnO和V2O5辅助烧结，使新的材料体系使陶瓷粉体的良品率大于90％，提高生产速率，降低生产成本。
本发明授权一种高良品率陶瓷粉体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高良品率陶瓷粉体制备方法，其特征在于：包括如下步骤： S1.将MgO和ZrO2球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级MgZrO3粉体； S2.将CaO和ZrO球磨后干燥过筛，再进行预烧得到一级CaZrO粉体； S3.将一级MgZrO粉体、一级CaZrO粉体以及烧结助剂混合并进行二级球磨，二级球磨后干燥过筛，烧结后得到陶瓷粉体； 所述烧结助剂为1wt%ZnO和0.5-2wt%V 步骤S3中所述一级MgZrO粉体和一级CaZrO粉体按照摩尔比为9：1进行添加； 所述烧结制度为先升温到500℃保温2h，再升温到1350℃保温4h。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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