上海大学张建华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利基于DPP光源的曝光装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118033991B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410362653.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于DPP光源的曝光装置和方法是由张建华;肖皓轩;凌晓;辛涵申;李浩源设计研发完成，并于2024-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于DPP光源的曝光装置和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于DPP光源的曝光装置和方法，包括：DPP光源、锆膜、多层膜反射镜和线性光栅，其中：DPP光源用于产生EUV光；锆膜过滤所述DPP光源产生的EUV光；所述多层膜反射镜收集所述DPP光源输出的EUV光，进行反射后垂直入射到所述线性光栅上；垂直入射的EUV光经所述线性光栅发生干涉，并达到待曝光的光刻胶，其中，EUV光在光刻胶平面上的强度分布为三角形分布，强度随位置的变化呈线性。本发明能够通过控制曝光剂量来形成小特征的图案，通过控制曝光计量可以得到特征尺寸25纳米以下的周期性图案，优化光刻胶材料有望实现更小的曝光线宽。
本发明授权基于DPP光源的曝光装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种基于DPP光源的曝光装置，其特征在于包括：DPP光源、锆膜、多层膜反射镜和线性光栅，其中： 所述DPP光源用于输出EUV光； 所述锆膜过滤所述DPP光源产生的EUV光； 所述多层膜反射镜收集所述DPP光源输出的EUV光，进行反射后垂直入射到所述线性光栅上，并起到带内滤波的作用； 垂直入射的EUV经所述线性光栅发生干涉，并达到待曝光的光刻胶，其中，EUV在光刻胶平面上的强度分布为三角形截面，强度随位置的变化呈线性。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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