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龙图腾网获悉华为数字能源技术有限公司申请的专利半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118077057B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280008422.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆是由滨田公守;胡飞设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆，包括：N型的半导体衬底、外延层、沟槽结构、栅极、层间介质层、源极以及漏极。沟槽结构设置于外延层中，沟槽结构包括多个第一沟槽和一个第二沟槽，第一沟槽沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排列，第二沟槽沿第二方向延伸，第二沟槽与多个第一沟槽中的每个第一沟槽交叉设置且相互导通；栅极隔着栅介质层填充于沟槽结构中；层间介质层覆盖于栅极上，且具有沿第二方向延伸的接触孔；源极设置于层间介质层上，且通过接触孔与外延层接触；漏极设置于半导体衬底远离外延层的一侧。这样降低了器件的导通总电阻。

本发明授权半导体器件、其制备方法、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： N型的半导体衬底； 外延层，设置于所述半导体衬底上； 沟槽结构，设置于所述外延层内；所述沟槽结构包括多个第一沟槽和一个第二沟槽，所述多个第一沟槽中的每个第一沟槽沿平行于所述半导体衬底所在平面的第一方向延伸，且沿平行于所述半导体衬底所在平面的第二方向间隔排列，所述第二沟槽沿所述第二方向延伸，且所述第二沟槽与所述多个第一沟槽中的每个第一沟槽交叉设置且相互导通； 栅极，所述栅极隔着栅介质层填充设置于所述沟槽结构内； 层间介质层，所述层间介质层设置于所述栅极上且覆盖所述栅极，所述层间介质层具有沿所述第二方向延伸的接触孔，所述接触孔贯穿所述多个第一沟槽，所述接触孔暴露出所述外延层的部分区域，且所述接触孔在垂直于所述半导体衬底所在平面的第三方向上的投影与所述栅极互不交叠；所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向相互交叉设置； 源极，所述源极设置于所述层间介质层上，且所述源极通过所述接触孔与所述接触孔暴露出的所述外延层接触； 漏极，所述漏极设置于所述半导体衬底远离所述外延层的一侧。

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