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龙图腾网获悉华为数字能源技术有限公司申请的专利半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118077058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280008433.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆是由滨田公守;胡飞设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆，包括：N型的半导体衬底、第一外延层、相互间隔设置的多个栅极沟槽、栅极、层间介质层、源极以及漏极。多个栅极沟槽设置于第一外延层中；多个栅极沟槽沿第一方向延伸；栅极包括相互接触的第一栅极和第二栅极，第一栅极隔着栅介质层填充于栅极沟槽中，第二栅极隔着栅介质层设置于第一外延层顶部；层间介质层覆盖于栅极远离半导体衬底一侧，且具有沿第二方向延伸的接触孔；源极设置于层间介质层远离半导体衬底一侧，且通过接触孔与第一外延层接触；漏极设置于半导体衬底远离第一外延层的一侧。这样降低了器件的导通总电阻。

本发明授权半导体器件、制备方法、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： N型的半导体衬底； 第一外延层，所述第一外延层设置于所述半导体衬底上； 相互间隔设置的多个栅极沟槽，所述多个栅极沟槽沿垂直于所述半导体衬底所在平面的第三方向上延伸至所述第一外延层中；其中，所述多个栅极沟槽沿平行于所述半导体衬底所在平面的第一方向延伸，所述多个栅极沟槽沿平行于所述半导体衬底所在平面的第二方向排列；所述第一方向、所述第二方向以及所述第三方向相互交叉设置； 栅极，所述栅极包括相互接触的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极隔着栅介质层填充设置于所述栅极沟槽中，所述第二栅极隔着所述栅介质层设置于所述第一外延层顶部； 层间介质层，所述层间介质层覆盖于所述栅极远离所述半导体衬底一侧，且所述层间介质层具有接触孔；其中，所述接触孔沿所述第二方向延伸、并贯穿所述多个栅极沟槽，所述接触孔在所述半导体衬底的正投影与所述栅极在所述半导体衬底的正投影互不交叠，且所述接触孔暴露出所述第一外延层的部分区域； 源极，所述源极设置于所述层间介质层远离所述半导体衬底一侧，且所述源极通过所述接触孔与所述接触孔暴露出的所述第一外延层接触； 漏极，所述漏极设置于所述半导体衬底远离所述第一外延层的一侧。

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