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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种高熵硼化物-碳化硅复相陶瓷的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118108512B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410184792.6，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权一种高熵硼化物-碳化硅复相陶瓷的制备方法是由刘永胜;李文雅;曹晔洁;董宁设计研发完成，并于2024-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵硼化物-碳化硅复相陶瓷的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于陶瓷技术领域，具体涉及一种高熵硼化物‑碳化硅复相陶瓷的制备方法，包括以下步骤：将高熵硼化物粉体与碳源粉体混合后，采用陶瓷成型方法，制备出陶瓷坯体；将所述陶瓷坯体用硅粉进行包埋，并在真空环境下进行液硅渗透处理，制得高熵硼化物‑碳化硅复相陶瓷。本发明利用高熵硼化物与碳源混合，然后进行液相渗硅，工艺更为简单，残余Si含量相对较少，且能获得致密度高达99％以上的高熵硼化物‑碳化硅复相陶瓷，适合规模化生产应用。

本发明授权一种高熵硼化物-碳化硅复相陶瓷的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高熵硼化物-碳化硅复相陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将高熵硼化物粉体与碳源粉体混合后，采用陶瓷成型方法，制备陶瓷坯体； 将所述陶瓷坯体用硅粉进行包埋，并在真空环境下进行液硅渗透处理，制得高熵硼化物-碳化硅复相陶瓷； 所述液硅渗透处理的条件为：在真空环境，压力为1~10MPa条件下，以5~20℃min的升温速率升温至1500~1650℃，并在1500~1650℃保温30~150min； 高熵硼化物的化学式为Dx1Ex2Fx3Gx4Hx5B2，其中D、E、F、G和H元素为Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W中的任意五种；其中x1+x2+x3+x4+x5=1，并且0.1≤x1≤0.5，0.1≤x2≤0.5，0.1≤x3≤0.5，0.1≤x4≤0.5，0.1≤x5≤0.5； 或者，高熵硼化物的化学式为Dy1Ey2Fy3Gy4B2，其中D、E、F和G元素为Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W中的任意四种；其中y1+y2+y3+y4=1，并且0.1≤y1≤0.5，0.1≤y2≤0.5，0.1≤y3≤0.5，0.1≤y4≤0.5。

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