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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118116872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410165216.7，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件是由吴恒;彭莞越;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件，上述方法包括：提供一衬底结构，衬底结构包括：衬底、电源轨、浅沟槽隔离结构和有源结构；其中，浅沟槽隔离结构覆盖电源轨；电源轨包括：第一电源轨和第二电源轨；在衬底结构的栅极区域内沉积第一半导体材料，以形成伪栅结构；通过切除工艺去除位于堆叠晶体管的栅切区域内的伪栅结构；在栅切区域内沉积氮化物材料，以形成第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构；基于有源结构的第一部分和第一栅极隔离结构，形成第一晶体管；基于有源结构的第二部分和第二栅极隔离结构，形成第二晶体管。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一衬底结构，所述衬底结构包括：衬底、电源轨、浅沟槽隔离结构和有源结构； 其中，所述浅沟槽隔离结构覆盖所述电源轨；所述电源轨包括：第一电源轨和第二电源轨；所述第一电源轨和所述第二电源轨在所述有源结构的排布方向上分别设置于所述有源结构的两侧，所述第一电源轨、所述第二电源轨的延伸方向与所述有源结构的延伸方向相同；所述有源结构具有第一部分和第二部分，所述第一部分相比与所述第二部分靠近所述衬底结构； 在所述衬底结构的栅极区域内沉积第一半导体材料，以形成伪栅结构； 通过切除工艺去除位于堆叠晶体管的栅切区域内的所述伪栅结构；其中，所述栅切区域位于所述堆叠晶体管的第一边缘部和第二边缘部，所述第一边缘部和所述第二边缘部为在所述有源结构的排布方向上相对设置的两个边缘部； 在所述栅切区域内沉积氮化物材料，以形成第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构；所述第一栅极隔离结构和所述第二栅极隔离结构分别位于所述第一边缘部和所述第二边缘部； 基于所述有源结构的第一部分和所述第一栅极隔离结构，形成第一晶体管；所述第一晶体管包括第一源漏结构、第一栅极结构、第一源漏金属和第一电源轨连接金属；所述第一电源轨连接金属连接所述第一电源轨和所述第一源漏金属； 基于所述有源结构的第二部分和所述第二栅极隔离结构，形成第二晶体管；所述第二晶体管包括第二源漏结构、第二栅极结构、第二源漏金属和第二电源轨连接金属；所述第二电源轨连接金属连接所述第二电源轨和所述第二源漏金属； 所述有源结构还包括：位于所述第一部分和所述第二部分之间的牺牲层；其中，所述基于所述有源结构的第一部分和所述第一栅极隔离结构，形成第一晶体管，包括：去除所述有源结构的第二部分和源漏区域内的所述牺牲层；基于所述有源结构的第一部分，形成第一源漏结构；在所述堆叠晶体管的源漏区域，去除所述第一栅极隔离结构的第一部分、保留第二部分，以部分暴露所述第一电源轨；其中，所述第一栅极隔离结构的第一部分相比于所述第一栅极隔离结构的第二部分靠近所述第一源漏结构；分别在所述第一源漏结构和被暴露的所述第一电源轨之上，形成第一源漏金属和第一电源轨连接金属。

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