厦门三安光电有限公司刘建明获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118315501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410316124.4，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权发光二极管及发光装置是由刘建明;李志明;陈毅勇;钱海;沈彪;周杨;曾建尧;蔡燕华设计研发完成，并于2024-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其沿自下向上的方向依次包括：第一半导体层、超晶格层、发光层以及第二半导体层；发光二极管具有V型坑，V型坑由超晶格层向发光层延伸；V型坑具有倾斜侧壁，定义倾斜侧壁的上下两端分别为第一端点和第二端点；发光层具有水平下表面；定义水平下表面最靠近倾斜侧壁的端点为第三端点，过第三端点做垂直于倾斜侧壁的垂线，第一端点到垂线的距离为S1，第二端点到垂线的距离为S2，S1:S2＞0.8。借此设置，可以有效避免注入的空穴泄露到超晶格层或者第一半导体层内，进而提升发光二极管的发光效率。
本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管沿自下向上的方向依次包括：第一半导体层、超晶格层、发光层以及第二半导体层； 所述发光二极管具有V型坑，所述V型坑由所述超晶格层向所述发光层延伸；所述V型坑具有倾斜侧壁，定义所述倾斜侧壁的上下两端分别为第一端点和第二端点；所述发光层具有水平下表面；定义所述水平下表面最靠近所述倾斜侧壁的端点为第三端点，过所述第三端点做垂直于所述倾斜侧壁的垂线，所述第一端点到所述垂线的距离为S1，所述第二端点到所述垂线的距离为S2，S1:S2＞0.8； 所述S1为所述第一端点到所述垂线的最短距离，所述S2为所述第二端点到所述垂线的最短距离；所述第一端点位于所述V型坑的顶部开口，所述第二端点位于所述V型坑的底部。
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