中南大学丁金民获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利Fe5GeTe2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118330522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410238387.8，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权Fe5GeTe2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用是由丁金民;郭光华;罗紫彦设计研发完成，并于2024-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本Fe5GeTe2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Fe5GeTe2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用。本申请提供了一种Fe5GeTe2材料在磁阻角度传感器中的应用，所述磁阻角度传感器中磁阻片的材料为Fe5GeTe2层状材料，所述Fe5GeTe2层状材料的平均厚度为17nm～188nm。其在一定温度和磁场强度的条件下，随着Fe5GeTe2材料所在平面与磁场方向二者之间夹角的变化，Fe5GeTe2材料的纵向电阻和霍尔电阻会产生明显变化，基于此，Fe5GeTe2材料可应用于磁阻角度传感器，角度检测范围最高可达360度。采用上述磁阻片的磁阻角度传感器具有反应灵敏，分辨率高，检测范围广，适用面宽，结构微小的特性，扩大了Fe5GeTe2材料的应用范围。
本发明授权Fe5GeTe2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用在权利要求书中公布了：1.Fe5GeTe2材料在磁阻角度传感器中的应用，其特征在于，所述磁阻角度传感器包括传感单元，所述传感单元中磁阻片的材料为Fe5GeTe2层状材料，所述Fe5GeTe2层状材料的平均厚度为17nm～188nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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