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龙图腾网获悉常州大学申请的专利N掺杂NH4+插层MXene材料的制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118343759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410419378.9，技术领域涉及：C01B32/921；该发明授权N掺杂NH4+插层MXene材料的制备方法和应用是由陆小龙;周炎;李灿灿;王琦;王莹;袁宁一;丁建宁设计研发完成，并于2024-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本N掺杂NH4+插层MXene材料的制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于功能材料技术领域，具体涉及一种N掺杂NH4+插层MXene材料的制备方法和应用。制备方法包括：以NH4F和浓盐酸原位生成的HF酸刻蚀MAX相Ti3AlC2粉末，离心洗去酸液后采用氨水对MXene进行处理，使得产生NH4+插层。再经离心清洗后将MXene浆料置于管式炉中，在真空环境下以1～15℃s‑1的升温速率升温至400～700℃，升温完成后保温2～10min，得到N掺杂NH4+插层的MXene材料。该方法有效避免了MXene的氧化问题，实现了高倍率超级电容器活性电极材料的可行制备，且该材料显示出了优越的容量和倍率性能。

本发明授权N掺杂NH4+插层MXene材料的制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种N掺杂NH4+插层MXene材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法步骤如下： 1MAX相刻蚀：以氟化铵和浓盐酸原位反应生成的HF酸刻蚀Ti3AlC2粉末，对刻蚀后的反应物进行高速离心处理，去除离心后的上清液，再加入超纯水进行振荡，使得离心沉淀重新分散；重复离心-重新分散操作，得到刻蚀产物多层MXene的分散液； NH4F的用量是0.015~0.08gmL-1浓盐酸；MAX相粉末与NH4F的质量比为1：1.6，且MAX相粉末需分批5~6次加入刻蚀液中； 2NH4+插层：在步骤1多层MXene分散液中加入氨水，进行插层处理，插层完成后，再离心去除上清液，并用氨水清洗离心沉淀，得到NH4+插层的MXene浆料； MXene粉末与氨水的质量比为1：1~6，在室温下搅拌3~6h进行插层处理； 3N掺杂多层MXene制备：将步骤2NH4+插层后的MXene浆料置于管式炉中，在真空环境下升温后再保温，之后使用水循环冷却使管式炉降温，得到快速退火的N掺杂NH4+插层MXene。

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