上海新微半导体有限公司张安邦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118522636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410680068.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由张安邦设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一半导体层，半导体层具有源漏极接触区域；形成初始接触层于半导体层上，初始接触层与源漏极接触区域连接；形成源漏极接触金属于初始接触层上并进行退火使得源漏极接触金属中金属元素扩散进初始接触层的位于源漏极接触金属下方的部分中以得到辅助接触层。该制作方法辅助接触层的额外制作以改善源漏接触金属与半导体层之间的接触特性，降低接触电阻以提升器件工作性能。该器件由于在源漏极接触金属下方设置有辅助接触层，器件的源漏极接触金属与接触区域之间的接触特性得到改善，使得器件的导通电流特性、稳定性及可靠性得到有效提升。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体层，所述半导体层包括自下而上叠置的衬底、沟道层及势垒层，所述沟道层朝向所述势垒层的一侧具有二维电子气，在所述势垒层上形成源极接触区域及漏极接触区域； 形成初始接触层于所述半导体层上，所述初始接触层还与所述源极接触区域及所述漏极接触区域连接，所述初始接触层的材料包括氮化铝； 形成源极接触金属与漏极接触金属于所述初始接触层上，进行退火使得所述源极接触金属与所述漏极接触金属中的金属元素扩散进所述初始接触层的位于所述源极接触金属及所述漏极接触金属下方的部分中以得到辅助接触层；所述辅助接触层包括氮化铝以及自所述源极接触金属及漏极接触金属中扩散的金属元素，改善接触电阻特性的同时，在自发极化和压电极化的作用下，诱导所述辅助接触层下方沟道处的二维电子气的浓度增加。
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