隔热半导体粘合技术公司G·高获国家专利权
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龙图腾网获悉隔热半导体粘合技术公司申请的专利通过在直接键合工艺期间捕获污染物并阻止裂纹来增强微电子结构中的键合获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118571844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410755392.6，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权通过在直接键合工艺期间捕获污染物并阻止裂纹来增强微电子结构中的键合是由G·高;J·A·德拉克鲁斯;黄绍武;王量;G·G·小方丹;R·卡特卡尔;C·E·尤佐设计研发完成，并于2019-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过在直接键合工艺期间捕获污染物并阻止裂纹来增强微电子结构中的键合在说明书摘要公布了：结构和技术可以通过在键合工艺期间捕获污染物和副产物并阻止裂纹来提供微电子结构中的键合增强。示例键合表面被提供有凹部、凹陷、阱或腔，以捕获键合的小颗粒和气态副产物并阻止裂纹，小颗粒和气态副产物将在被接合的微米级表面之间创建有害的空隙。这样的随机空隙将损害键合的完整性以及被键合互连件的电导率。在示例系统中，键合界面中放置的经预先设计的凹部空间或经预先设计的凹部图案捕获颗粒和气体，从而减少了随机空隙的形成，从而在键合形成时改进并保护键合。可以通过用于确定移动的颗粒在键合波传播期间移动的位置的示例方法，来将凹部空间或凹部图案放置在颗粒在键合表面上聚集的位置。例如，凹部可以以晶片级阶梯状的刻线图案来重复，或者通过对准器或对准工艺来放置。
本发明授权通过在直接键合工艺期间捕获污染物并阻止裂纹来增强微电子结构中的键合在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括： 微电子组件的第一键合表面；以及 适用于与所述第一键合表面键合的第二键合表面； 所述第一键合表面或所述第二键合表面中的至少一个凹入的非键合区域，用于捕获对所述第一键合表面与所述第二键合表面之间的键合界面有害的至少一种物质，所述至少一个凹入的非键合区域相对于设置在所述微电子组件上或所述微电子组件中的电路或操作性元件是非操作性的，其中所述第一键合表面或所述第二键合表面处的至少一个导电迹线横穿所述至少一个凹入的非键合区域。
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