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北京科技大学谢建新获国家专利权

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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种低铬含量中强高导Cu-Cr-Sn-Zn合金及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118581350B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410514460.X,技术领域涉及:C22C9/00;该发明授权一种低铬含量中强高导Cu-Cr-Sn-Zn合金及其制备方法是由谢建新;付华栋;赵孟合;张洪涛设计研发完成,并于2024-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低铬含量中强高导Cu-Cr-Sn-Zn合金及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明采用机器学习方法设计了一种低铬含量中强高导Cu‑Cr‑Sn‑Zn合金及其制备工艺,属于新材料设计与加工技术领域。开发的低铬含量Cu‑Cr‑Sn‑Zn合金成分特征在于:Cr含量为0.10wt%~0.50wt%,Sn含量为0.05wt%~0.50wt%,Zn含量为0.10wt%~0.50wt%,La含量为0.001wt%~0.10wt%,余量Cu。根据需要,还可以添加Mg、Zr、P或Ce等一种或多种微合金化元素,以提升合金的综合性能。微合金化元素的含量为0.00wt%~0.30wt%Mg,0.00wt%~0.20wt%Zr,0.00wt%~0.10wt%P,0.00wt%~0.10wt%Ce。本发明协同优化了合金中Cr、Sn、Zn等元素含量,进而显著提升了铜合金力学和电学综合性能,抗拉强度可达600~650MPa,导电率可达75%IACS~80%IACS,适合大规模工业化生产与应用。

本发明授权一种低铬含量中强高导Cu-Cr-Sn-Zn合金及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种低铬含量中强高导Cu-Cr-Sn-Zn合金的制备工艺,其特征在于:制备工艺流程为:熔炼→均匀化处理→热轧→粗冷轧→固溶淬火→一次精冷轧→一次时效→二次精冷轧→二次时效→三次精冷轧,具体步骤如下: 1熔炼:将按比例配好的电解Cu原料放入熔炼炉中加热至1200℃~1300℃;待完全熔化后,将电解Sn、Cu-Zn、Cu-Cr、Cu-La、Cu-Mg、Cu-Zr、Cu-P、Cu-Ce中间合金加入金属液中,采取在金属表面覆盖烘烤木炭竹炭防止氧化;将熔炼好的合金熔体静置10~30分钟后除渣,温度保持在1200±10℃;随后浇铸成扁锭,冷却至室温后,去除表面缺陷; 2均匀化处理:将去除表面缺陷后的扁锭在800~1000℃下保温1~8h; 3热轧:将均匀化处理后的坯料进行热轧变形,开轧温度800℃,终轧温度≥700℃,热轧道次压下量30%~50%,总变形量60%~95%; 4粗冷轧:道次变形量20%~40%,总变形量50%~90%; 5固溶淬火:在线惰性气体保护固溶淬火; 6一次精冷轧:道次变形量10%~30%,总变形量30%~80%; 7一次时效:罩式炉时效,惰性气体保护; 8二次精冷轧:道次变形量10%~30%,总变形量20%~70%; 9二次时效:罩式炉时效,惰性气体保护; 10三次精冷轧:道次变形量10%~30%,总变形量20%~70%; 微合金化元素的含量为0.00wt%~0.30wt%Mg,0.00wt%~0.20wt%Zr,0.00wt%~0.10wt%P,0.00wt%~0.10wt%Ce,Cr含量为0.10wt%~0.50wt%,Sn含量为0.05wt%~0.50wt%,Zn含量为0.10wt%~0.50wt%,La含量为0.001wt%~0.10wt%,余量Cu。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京科技大学,其通讯地址为:100083 北京市海淀区学院路30号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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