哈尔滨理工大学庞海军获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉哈尔滨理工大学申请的专利一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料的制备及其光催化产氢应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118598195B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410686305.6，技术领域涉及：C01G41/00；该发明授权一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料的制备及其光催化产氢应用是由庞海军;赵欣欣;孙玮泽;杨桂欣设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料的制备及其光催化产氢应用在说明书摘要公布了：本发明的目的在于研制一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料，有效克服克服了传统多酸易溶于水并且需要贵金属作为助催化剂的缺点，通过引入过渡金属元素形成原子轨道的混合或杂化，提高多金属氧酸盐的最低未占轨道LUMO能级，以及提高了多金属氧酸盐的催化活性。一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料的化学式为[CdII2bipy4H2O4]GeW12O40。方法：将0.27g锗钨酸K4GeW12O40·7H2O，0.135g氯化镉CdCl2·4H2O，0.45g2,2‑联吡啶C10H8N2溶解于36mL的去离子水中，用1molL‑1盐酸和1molL‑1氢氧化钠溶液调节溶液pH＝2.4，在室温条件下搅拌3.5h。将上述溶液均分成三份转移至20mL反应釜中，160℃保持72h，得到淡黄色块状晶体。本发明可获得一种具有优异的光催化产氢活性的多活性位点的锗钨酸基晶体材料。
本发明授权一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料的制备及其光催化产氢应用在权利要求书中公布了：1.一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料，其化学式为[CdII2bipy4H2O4]GeW12O40，简称为Cd2-GeW12，其中，bipy为2,2-联吡啶，分子式为C10H8N2；一种多活性位点的锗钨酸基晶体材料的晶系为单斜；空间群为P21；单胞参数为α＝90°,β＝92.260010°,γ＝90°,z＝4。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨理工大学，其通讯地址为：154001 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号哈尔滨理工大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励