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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118651819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410784831.6，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备是由李佩笑;杜君;臧志成;王浩;孙恒超;方东明;王蔓蓉;季润可;李腾浩;陶毅;刘紫威;姜帅设计研发完成，并于2024-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备，属于MEMS传感芯片技术领域。MEMS超声传感器件包括：基底，形成有第一腔和暴露第一腔的第一开口；压电振动层，设于基底上，且覆盖第一开口；钝化层，设于基底上，且环绕压电振动层布置；谐振结构，设于钝化层远离基底的一侧，谐振结构形成有第二腔、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口位于第二腔相对的两侧，第二开口朝向钝化层布置，且暴露压电振动层，第二腔和第三开口共同作用下的谐振频率等于压电振动层的谐振频率。超声传感芯片接收的声信号或发射的声信号在谐振腔内形成共振，增大超声传感芯片处的声压往外发射的声压，增大了超声传感芯片的发射、接收灵敏度。

本发明授权MEMS超声传感器件、制备方法及传感设备在权利要求书中公布了：1.一种MEMS超声传感器件，其特征在于，包括： 基底，形成有第一腔和暴露所述第一腔的第一开口； 压电振动层，设于所述基底上，且覆盖所述第一开口； 钝化层，设于所述基底上，且环绕所述压电振动层布置； 谐振结构，设于所述钝化层远离所述基底的一侧，所述谐振结构形成有第二腔、暴露所述第二腔的第二开口和暴露所述第二腔的第三开口，所述第二开口和所述第三开口位于所述第二腔相对的两侧，所述第二开口朝向所述钝化层布置，且暴露所述压电振动层，所述第二腔和所述第三开口共同作用下的谐振频率等于所述压电振动层的谐振频率； 所述MEMS超声传感器件还包括： 导电件，穿设于所述钝化层和所述基底，所述导电件的第一端与所述压电振动层电性连接，所述导电件的第二端暴露于所述基底远离所述压电振动层的一侧； 所述导电件包括： 第一导电件，形成于所述钝化层内，且与所述压电振动层电性连接； 第二导电件，沿平行于所述MEMS超声传感器件的膜层堆叠方向穿设于所述钝化层和所述基底，且与所述第一导电件电性连接，所述第二导电件的一端暴露于所述基底远离所述压电振动层的一侧； 所述钝化层设有第一TSV穿孔，所述基底设有第二TSV穿孔，所述第一TSV穿孔和所述第二TSV穿孔同轴布置，所述第二导电件设于所述第一TSV穿孔和所述第二TSV穿孔内。

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