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龙图腾网获悉浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;深圳爱旭数字能源技术有限公司申请的专利一种太阳能电池、电池组件及光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118658909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410940051.6，技术领域涉及：H10F77/1223；该发明授权一种太阳能电池、电池组件及光伏系统是由杨新强;张生利;王永谦;陈刚设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池、电池组件及光伏系统在说明书摘要公布了：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供一种太阳能电池、电池组件及光伏系统，包括：硅基底，包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域位于硅基底的同一面或相对两面；P型掺杂多晶硅层，至少形成在第一区域上；N型掺杂多晶硅层，至少形成在第二区域上；P型掺杂多晶硅层和N型掺杂多晶硅层均含有金属杂质，金属杂质包括铁、铜、钴、镍、铬中的至少一种；N型掺杂多晶硅层包括靠近硅基底的第一部分，P型掺杂多晶硅层包括靠近硅基底的第三部分，第一部分中至少一种金属杂质的浓度大于第三部分中相同金属杂质的浓度。本发明的太阳能电池的N型掺杂多晶硅层吸杂效果优于P型掺杂多晶硅层的吸杂效果，利于提高电池的少子寿命，提高电池效率。

本发明授权一种太阳能电池、电池组件及光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基底，所述硅基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域位于所述硅基底的同一面，或，所述第一区域和所述第二区域分别位于所述硅基底的相对两面； P型掺杂多晶硅层，至少形成在所述第一区域上； N型掺杂多晶硅层，至少形成在所述第二区域上； 第一隧穿层，设于所述硅基底与所述P型掺杂多晶硅层之间； 第二隧穿层，设于所述硅基底与所述N型掺杂多晶硅层之间，所述第二隧穿层的厚度小于所述第一隧穿层的厚度； 其中，所述P型掺杂多晶硅层和所述N型掺杂多晶硅层均含有金属杂质，所述金属杂质包括铁、铜、钴、镍、铬中的至少一种；所述N型掺杂多晶硅层包括靠近所述硅基底的第一部分，所述P型掺杂多晶硅层包括靠近所述硅基底的第三部分，所述第一部分中至少一种所述金属杂质的浓度大于所述第三部分中相同所述金属杂质的浓度，所述第一部分中至少一种金属杂质的浓度大于所述硅基底中相同金属杂质的浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;深圳爱旭数字能源技术有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路655号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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