北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司缑纯良获国家专利权
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龙图腾网获悉北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司申请的专利一种倒装焊电路的单粒子有效数据获取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118731641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410754517.3，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种倒装焊电路的单粒子有效数据获取方法是由缑纯良;郑宏超;李哲;刘亚娇;毕潇;董涛;赵元富;王亮;黄斯翀;徐雷霈;张健鹏设计研发完成，并于2024-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装焊电路的单粒子有效数据获取方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种倒装焊电路的单粒子有效数据获取方法，包括：试验样品衬底减薄；试验用重离子选择；试验电路温度监控；数据有效性判断；减薄厚度测量及有效数据计算。相比与传统试验方法，利用本发明中的单粒子试验评估方法，可以有效提高倒装焊工艺电路单粒子试验效率。通过温度控制、多重验证及误差校准等方式，提供了单粒子试验倒装焊工艺电路试验数据的准确性和有效性，有效填补宇航用倒装焊电路单粒子评估方法的空白，为倒装焊工艺宇航集成电路抗辐照加固提供有力支撑。
本发明授权一种倒装焊电路的单粒子有效数据获取方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装焊电路的单粒子有效数据获取方法，其特征在于包括下列步骤： S1、对倒装焊工艺电路样品进行衬底减薄，并记录减薄厚度； S2、选用适合倒装焊工艺电路的重离子对减薄后的倒装焊工艺电路样品开展单粒子试验，得到不同样品在同种重离子辐照下的单粒子错误数，同一样品在不同重离子辐照下的单粒子错误数； S3、单粒子试验完成后进行试验数据分析，判断试验数据的有效性，如果实验数据有效，则进入步骤S4，否则，更换倒装焊工艺电路样品重新执行步骤S1～步骤S3； S4、对倒装焊工艺电路样品进行厚度测量校准，根据校准结果，从试验用的倒装焊工艺电路样品中筛选出有效倒装焊工艺电路样品，之后执行步骤S5和步骤S6，得到重离子对应的单粒子有效数据，所述单粒子有效数据包括有效LETe和单粒子错误截面σm； S5、根据有效倒装焊工艺电路样品的单粒子试验结果，计算重离子的单粒子错误截面σm； S6、根据有效倒装焊工艺电路样品衬底减薄的平均厚度dr-mean，采用重离子LET计算软件仿真得到重离子的有效LETe。
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