天合光能股份有限公司余坷获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411108701.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件是由余坷;韩秉伦设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池的制备方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的第一面和第二面；于所述第一面形成层叠的第一隧穿层和第一掺杂半导体层；所述第一掺杂半导体层位于所述第一隧穿层远离所述半导体衬底的一侧；采用微波退火工艺激活所述第一掺杂半导体层中的掺杂元素，并于所述半导体衬底内形成与所述第一隧穿层相接的第一内扩层；于所述第一掺杂半导体层远离所述半导体衬底的一侧形成与所述第一掺杂半导体层欧姆接触的第一电极。本申请可以使第一内扩层的结深较浅，有利于减少载流子的复合，提高了太阳能电池的转换效率和稳定性。
本发明授权太阳能电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的第一面和第二面； 于所述第一面形成层叠的第一隧穿层和第一掺杂半导体层；所述第一掺杂半导体层位于所述第一隧穿层远离所述半导体衬底的一侧； 采用微波退火工艺激活所述第一掺杂半导体层中的掺杂元素，并于所述半导体衬底内形成与所述第一隧穿层相接的第一内扩层；所述微波退火工艺的退火温度介于50℃-250℃； 于所述第一掺杂半导体层远离所述半导体衬底的一侧形成与所述第一掺杂半导体层欧姆接触的第一电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司，其通讯地址为：213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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