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龙图腾网获悉华天科技(昆山)电子有限公司申请的专利一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118763007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410794598.X，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法是由赵艳娇;马书英;付东之设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法，包括以下步骤：将光感芯片与基底压合在一起；对光感芯片正面刻孔，将光感芯片Pad暴露，布线；对光感芯片的切割道包边，在光感芯片正面植球，切割得到芯片a；将芯片a固定在硅槽内；在芯片a表面形成干膜，其表面形成第二金属重布线层；倒装贴装芯片b，通过塑封材料包封；在塑封材料表面形成TMV通孔、TMV槽；在芯片b上固定芯片c；在塑封材料表面作业第三金属重布线层，植球；将硅片减薄，使基底暴露。本发明实现三层芯片堆叠并导通，实现高密度3D封装，缩短芯片之间的电信号传导路径，加快光电传输速率，封装过程不影响光感芯片的光电动作区域，避免光耦合区域污染。

本发明授权一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：将光感芯片与基底压合在一起，所述基底与光感芯片的光耦合区域不接触； 步骤二：先对光感芯片的正面进行刻孔，将光感芯片的光感芯片Pad暴露出来，再进行重布线； 步骤三：对光感芯片的切割道进行包边，再在光感芯片的正面植球，随后切割得到芯片a； 步骤四：提供带有硅槽的硅片； 步骤五：将芯片a固定在硅槽内，所述芯片a与硅槽侧壁之间不接触，留有一定的缝隙； 步骤六：在芯片a表面形成干膜，并将芯片a与硅槽之间的缝隙填平；在干膜表面形成金属焊盘； 步骤七：在步骤六的金属焊盘上倒装贴装芯片b，再通过塑封材料包封； 步骤八：在塑封材料上表面形成TMV通孔，再将TMV通孔填平； 步骤九：在塑封材料上表面形成TMV槽，露出芯片b； 步骤十：在芯片b上固定芯片c； 步骤十一：在塑封材料上表面作业形成金属焊盘，再植球； 步骤十二：将硅片减薄，使基底暴露出来，便于光感芯片的光耦合区域接受光信号。

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