长鑫存储技术有限公司陈军获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310355424.9，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体器件及其制备方法是由陈军;黄铭辉设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：晶圆，晶圆包括多个第一晶粒、位于相邻的两个第一晶粒之间的切割道和位于切割道上的第一对准标记；其中，第一晶粒包括第一接触垫；第二晶粒，与第一晶粒堆叠设置；其中，第二晶粒包括第二接触垫；第二接触垫与第一接触垫之间通过第一对准标记对准；第一接触柱，位于第一接触垫和第二接触垫之间；其中，第一接触柱分别与第一接触垫和第二接触垫连接。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 晶圆，所述晶圆包括多个第一晶粒、位于相邻的两个所述第一晶粒之间的切割道和位于所述切割道上的第一对准标记；其中，所述第一晶粒包括衬底、第一介质层和第一接触垫，所述第一接触垫位于第一介质层中，不与所述衬底接触； 第二晶粒，与所述第一晶粒堆叠设置；其中，所述第二晶粒包括第一半导体层、第二介质层和第二接触垫；所述第二接触垫位于第二介质层中，不与所述第一半导体层接触且其与所述第一接触垫之间通过所述第一对准标记对准； 第一接触柱，位于所述第一接触垫和所述第二接触垫之间；其中，所述第一接触柱分别与所述第一接触垫和所述第二接触垫连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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