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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种Micro-LET显示像素驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118865865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410600594.3，技术领域涉及：G09G3/32；该发明授权一种Micro-LET显示像素驱动电路是由周雄图;王柯人;张永爱;吴朝兴;郭太良;林志贤;林坚普设计研发完成，并于2024-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro-LET显示像素驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种Micro‑LET显示像素驱动电路，涉及光电显示领域，包括：Micro‑LET器件、开关补偿电路；Micro‑LET器件的阳极连接电源高电位，Micro‑LET的阴极连接电源低电位；开关补偿电路包括：驱动控制晶体管、下拉控制晶体管、供电控制晶体管、电压补偿晶体管、第二电容、数据信号输入控制晶体管、第一电容；开关补偿电路用于弥补因薄膜晶体管的阈值电压、迁移率影响而造成的驱动电流不稳定的现象；本发明根据对传统Micro‑LED像素驱动电路的优化，对驱动控制晶体管的阈值电压进行补偿，使得流经发光三极管的电流大小与驱动控制晶体管的阈值电压无关，并且通过对时序的控制，能对晶体管迁移率变化影响的补偿。

本发明授权一种Micro-LET显示像素驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LET显示像素驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括：Micro-LET器件、开关补偿电路；所述Micro-LET器件为发光三极管，包含双极结型晶体管和发光二极管，且在基极调控下通过改变基区电压控制电子运动到发光有源区的数量进而调控器件的发光效果；所述开关补偿电路用于弥补因薄膜晶体管的阈值电压、迁移率影响而造成的驱动电流不稳定的现象；所述Micro-LET器件的阳极连接电源高电位，所述Micro-LET的阴极连接电源低电位； 所述开关补偿电路包括： 驱动控制晶体管；所述驱动控制晶体管的漏极与所述Micro-LET器件的基极电连接； 下拉控制晶体管；所述下拉控制晶体管的源极与所述驱动控制晶体管的漏极电连接，所述下拉控制晶体管的漏极连接电源低电位，且所述下拉控制晶体管的栅极电连接于下拉控制端；所述下拉控制晶体管用于对所述驱动控制晶体管的所述漏极的电位进行下拉； 供电控制晶体管；所述供电控制晶体管通过源极与漏极电连接于电源高电位与所述驱动控制晶体管的源极之间，且所述供电控制晶体管的栅极电连接于第三控制端； 电压补偿晶体管；所述电压补偿晶体管通过源极与漏极电连接于所述驱动控制晶体管的源极与栅极之间，且所述电压补偿晶体管的栅极电连接于第二控制端；所述电压补偿晶体管用于弥补因薄膜晶体管的阈值电压、迁移率影响而造成的驱动电流不稳定的现象； 第二电容；所述第二电容加载于所述驱动控制晶体管的栅极与电源低电位之间，用于充电储能并在点亮像素点时为所述驱动控制晶体管提供栅压； 数据信号输入控制晶体管，用于控制数据信号的输入；所述数据信号输入控制晶体管的源极电连接于数据端，所述数据信号输入控制晶体管的漏极通过第一电容与所述驱动控制晶体管的栅极电连接，并与所述第二电容构成充电储能回路；所述数据信号输入控制晶体管栅极电连接于第一控制端； 其中，当所述电压补偿晶体管的栅极输入导通信号，则为所述驱动控制晶体管补偿晶体管阈值电压；当所述数据端为所述第二电容充电储能时，所述电压补偿晶体管的栅极由所述导通信号而触发下降沿而在所述驱动控制晶体管的栅极触发电压增压；所述电压增压用于补偿晶体管迁移率。

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