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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119040827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411174250.7，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法是由邵国键;陆光泽;周书同;陈韬;章军云设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法，金属薄层包括两个WTi混合金属层及三个Au金属层；金属薄层通过磁控溅射、电镀等工艺制备而成。相较于现有技术，本发明采用上述金属薄层结构作为电容上极板，具有较高的粘附性及高键合拉力强度，同时在经历高强度可靠性试验后仍能保持优异的性能。

本发明授权一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于表面键合的金属薄层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.第一金属层1采用WTi混合金属靶材并通过磁控溅射工艺制备，准备一片电容介质7，将第一金属层1通过磁控溅射工艺形成于电容介质7表面；所述的WTi混合金属靶材中W金属、Ti金属的质量比为5：5~2：8；所述的第一金属层1的厚度为50~150nm； S2.第二金属层2采用Au金属靶材并通过磁控溅射工艺制备，第二金属层2的厚度为20~100nm； S3.第三金属层3采用WTi混合金属靶材并通过磁控溅射工艺制备，第三金属层3的厚度为0.5~2μm； S4.第四金属层4采用Au金属靶材并通过磁控溅射工艺制备，第四金属层4的厚度为20~100nm； S5.通过光刻工艺对不需要制备第五金属层5的区域进行涂覆及固化光刻胶6，将需要制备第五金属层5的区域裸露； S6.第五金属层5用Au金属靶材通过磁控溅射工艺制备，第五金属层5的厚度为1~5μm； S7.去胶剥离光刻胶6，去除光刻胶6的同时，光刻胶6上的第五金属层5随光刻胶6剥离； S8.去除无第五金属层5区域下方多余的第四金属层4、第三金属层3、第二金属层2及第一金属层1； 所述的第一金属层1作为种子层，第四金属层4作为第五金属层5的种子层，所述的第三金属层3作为键合缓冲层。

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