厦门大学赵扬获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种微小曲面共形传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119059490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411180882.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种微小曲面共形传感器的制备方法是由赵扬;应雨滉;刘瑾;王文轩设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微小曲面共形传感器的制备方法在说明书摘要公布了：一种微小曲面共形传感器的制备方法，通过在不规则微小曲面空间上依次制备绝缘层和敏感层，将聚二甲基硅氧烷PDMS作为掩膜，并采用电喷印技术将其精确喷印到敏感层上并图案化，随后刻蚀去除未被掩膜覆盖的敏感层，并保留掩膜层作为传感器的保护层，实现微小空间内传感器图案化结构的共形制造。本发明集成了掩膜制备和保护层制备过程，提高了生产效率，并且能够在非平坦的微小曲面空间内通过共形制造传感器，实现线宽10μm以下的高分辨率，具有重要的实践生产意义。
本发明授权一种微小曲面共形传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微小曲面共形传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在待制备传感器的微小曲面上通过先静置提拉、后用气枪吹薄表面的方法，覆盖上聚酰亚胺溶液，制备绝缘层；聚酰亚胺溶液的溶剂为聚酰胺酸，采用二甲基乙酰胺稀释，溶液浓度为15wt%~20wt%； 2在绝缘层上通过磁控溅射的方式沉积200～300μm的敏感层，所述敏感层的材料选用康铜； 3采用电流体喷印技术，将聚二甲基硅氧烷作为掩膜及保护层喷印到敏感层上；所述电流体喷印的电流体喷头为尖端5μm的玻璃针头，施加电压为0.9~1.3kV，掩膜的喷印线宽在10μm以下；其中，使用正己烷作为聚二甲基硅氧烷的稀释剂； 4使用湿法刻蚀方法，去除未被掩膜覆盖的敏感层，形成所需的传感器图案；所述图案的线宽在10μm以下；所述湿法刻蚀的刻蚀环境温度为20~40℃。
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