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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种耐高温-抗辐照-隐身多功能一体化陶瓷基复合材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119080510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411250942.5，技术领域涉及：C04B35/584；该发明授权一种耐高温-抗辐照-隐身多功能一体化陶瓷基复合材料的制备方法是由卫冲;李昊祯;梁爽;李晓强设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高温-抗辐照-隐身多功能一体化陶瓷基复合材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种耐高温‑抗辐照‑隐身多功能一体化陶瓷基复合材料的制备方法，包括以下步骤：a.球磨制备包含功能填充颗粒的涂敷浆料和化学气相渗透CVI工艺制备碳化硅SiC预制布；b.将混合浆料均匀涂敷于SiC预制布表面并堆叠整齐固定；c.将叠层固定好的预制体进行CVI工艺沉积氮化硅Si3N4基体进行致密化。本发明提供的制备方法实现了陶瓷基复合材料的耐高温‑抗辐照‑隐身多功能结构一体化，加强了陶瓷基辐射屏蔽材料在高温环境中的力学性能，提高了陶瓷基复合材料的多功能性和高温环境耐久性，同时拓展了陶瓷基复合材料的应用范围。

本发明授权一种耐高温-抗辐照-隐身多功能一体化陶瓷基复合材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耐高温-抗辐照-隐身多功能一体化陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤如下： 步骤1：采用CVI工艺对多张SiC纤维布依次沉积氮化硼BN界面和氮化硅Si3N4保护层； 所述沉积氮化硼BN界面时先驱体气源为三氯化硼BCl3和氨气NH3，其中BCl3为硼源，NH3为氮源，载气为氩气Ar，稀释气体为氢气H2； 沉积氮化硅Si3N4保护层时先驱体气源为四氯化硅SiCl4和氨气NH3，其中SiCl4为硅源，NH3为氮源，载气为氩气Ar，稀释气体为氢气H2； 步骤2：将混合涂敷浆料涂敷于步骤1沉积后的每张SiC预制布表面，然后将多张SiC预制布叠层固定； 所述混合涂敷浆料是体积分数为50%~60%的W粉、20%~30%的B4C粉和10%~20%的Sm2O3粉的混合粉末与超纯水混合后，再加入聚碳硅烷PCS制成； 所述再加入的聚碳硅烷PCS为50~60wt%； 步骤3：采用CVI工艺沉积Si3N4基体使SiC预制布致密化处理，得到耐高温-抗辐照-隐身多功能一体化陶瓷基复合材料； 所述CVI工艺沉积Si3N4基体时，先驱体气源为四氯化硅SiCl4和氨气NH3，其中SiCl4为硅源，NH3为氮源，载气为氩气Ar，稀释气体为氢气H2； 上述步骤制备的多功能一体化陶瓷基复合材料的结构为SiCfSi3N4-W-B4C-Sm2O3-SiC，包括SiC纤维布、SiC纤维布上设有厚度为450~500nm氮化硼BN界面；BN界面设有厚度为2.5~4.5的氮化硅Si3N4；所述SiC纤维布上设有WBS功能组元颗粒和聚碳硅烷PCS功能组元颗粒，构成WBSP功能填充材料；整体结构由CVI工艺沉积致密得到；所述SiCfSi3N4-WBSP复合材料的致密化程度不低于85%；SiCfSi3N4-WBSP复合材料的线性衰减系数和质量衰减系数分别为0.242cm-1和0.103cm2g；屏蔽效果达到70%以上；RL值达到-9dB以下的全频吸收，电磁波吸收率为87%以上，有效吸波带宽为3.52GHz； 所述WBS为W-B4C-Sm2O3的混合体；所述WBSP为W-B4C-Sm2O3-PCS的混合体。

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