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龙图腾网获悉西北核技术研究所;西安交通大学申请的专利双注入雪崩晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092535B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411072154.1，技术领域涉及：H10D10/00；该发明授权双注入雪崩晶体管及其制备方法是由乔汉青;胡龙;王翔宇;王欢;方旭;屈拓扑;安镜轩;李腾飞;谢佳玲设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本双注入雪崩晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了双注入雪崩晶体管及其制备方法，能解决现有雪崩晶体管因需维持高场强碰撞电离区，导致其导通压降和损耗较高，及重频运行下导通损耗造成的温升会影响其性能的问题。该晶体管包括集电区n+衬底层、集电区n0外延层、p型基区层、n+发射区层、多个p+场环，及设在集电区n+衬底层与集电区n0外延层之间的集电区p+注入层，集电区n0外延层顶部设有多个第一环槽，p+场环设在第一环槽内，其顶部与集电区n0外延层顶部平齐。集电区p+注入层的p+掺杂浓度大于集电区n+衬底层的n+掺杂浓度，n+发射区层的n+掺杂浓度大于p型基区层的p型掺杂浓度，n+发射区层的n+掺杂浓度和p+场环的p+掺杂浓度均与集电区n+衬底层的n+掺杂浓度为同一数量级。

本发明授权双注入雪崩晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双注入雪崩晶体管，包括由下至上依次设置的集电区电极9、集电区n+衬底层1、集电区n0外延层3，以及p型基区层4、n+发射区层5、环状的基区电极7、板状的发射区电极8；所述集电区n0外延层3的顶部中间位置处设有第一凹腔，所述p型基区层4为带有第二凹腔的板层结构，p型基区层4设置在所述第一凹腔内；所述n+发射区层5设置在所述第二凹腔内，n+发射区层5和p型基区层4的顶部均与集电区n0外延层3的顶部平齐；所述基区电极7设置在p型基区层4的顶部；所述发射区电极8设置在n+发射区层5的顶部；其特征在于： 还包括集电区p+注入层2和多个p+场环6； 所述集电区p+注入层2设置在集电区n+衬底层1与集电区n0外延层3之间； 所述集电区n0外延层3的顶部位于p型基区层4的外侧同轴设置有多个第一环槽，所述多个p+场环6分别设置在多个第一环槽内，且所述p+场环6的顶部与集电区n0外延层3的顶部平齐； 所述集电区p+注入层2的p+掺杂浓度大于集电区n+衬底层1的n+掺杂浓度；所述集电区n0外延层3的n0掺杂浓度小于集电区n+衬底层1的n+掺杂浓度；所述p型基区层4的p型掺杂浓度大于集电区n0外延层3的n0掺杂浓度且小于集电区n+衬底层1的n+掺杂浓度；所述n+发射区层5的n+掺杂浓度大于p型基区层4的p型掺杂浓度；所述n+发射区层5的n+掺杂浓度和p+场环6的p+掺杂浓度均与集电区n+衬底层1的n+掺杂浓度为同一数量级。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西北核技术研究所;西安交通大学，其通讯地址为：710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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