深圳市思坦科技有限公司谢峰获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市思坦科技有限公司申请的专利微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411149985.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置是由谢峰;张珂;毛学设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种微型LED器件制备方法、微型LED器件及显示装置。该方法包括：提供微型LED外延片，所述微型LED外延片自下而上依次包括第一半导体层、多量子阱结构和第二半导体层；从所述第二半导体层开始对所述微型LED外延片进行刻蚀直至暴露出所述第一半导体层，并对暴露出的所述第一半导体层进行表面粗化处理以形成粗化表面，得到包括凸台阵列的台面结构；在所述台面结构上设置第一钝化层、第一金属层和第二金属层，使得所述第一金属层穿过所述第一钝化层设置在所述凸台阵列中的凸台上的第二半导体层上，所述第二金属层穿过所述第一钝化层设置在暴露出的第一半导体层上，得到所述微型LED器件。
本发明授权微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种微型LED器件制备方法，其中，所述方法包括： 提供微型LED外延片，所述微型LED外延片自下而上依次包括第一半导体层、多量子阱结构和第二半导体层； 从所述第二半导体层开始对所述微型LED外延片进行刻蚀直至暴露出所述第一半导体层，并对暴露出的所述第一半导体层进行表面粗化处理以形成粗化表面，得到包括凸台阵列的台面结构； 在所述台面结构上设置第一钝化层、第一金属层和第二金属层，使得所述第一金属层穿过所述第一钝化层设置在所述凸台阵列中的凸台上的第二半导体层上，所述第二金属层穿过所述第一钝化层设置在暴露出的第一半导体层上，得到所述微型LED器件，在所述台面结构上设置第一钝化层包括：在所述台面结构上设置第一钝化层，使得在所述凸台阵列的每两个相邻凸台之间以及所述凸台阵列外围的第一钝化层中形成隔离空隙。
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