浙江大学徐凯臣获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种激光原位制造的无封装耐高温薄膜温度传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119104168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411228853.0，技术领域涉及：G01K7/16；该发明授权一种激光原位制造的无封装耐高温薄膜温度传感器及其制备方法是由徐凯臣;侯宇誉;谢海波;杨华勇设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光原位制造的无封装耐高温薄膜温度传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种激光原位制造的无封装耐高温薄膜温度传感器及其制备方法，以高温绝缘材料为基底，针对基底表面通过涂覆硼化钛基前驱体油墨形成温敏薄膜前驱体层，固化后经激光烧结实现硼化钛微纳米颗粒间的导通，获得优良导电性能的温度敏感层，同时激光诱导钝化形成的玻璃相硼酸硅弥补了硼化钛微纳米颗粒的缺陷，从而获得了高温下的抗氧化能力，实现了硼化钛、碳化硅混合油墨从“粉末‑液‑固态‑功能”转变的激光烧结、钝化工艺流程，并成功将其应用于高温温度传感。与现有技术相比，本发明基于激光一步加工技术，可实现传感器的快速原位制备，且能精确加工所需图案。
本发明授权一种激光原位制造的无封装耐高温薄膜温度传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种激光原位制造的无封装耐高温薄膜温度传感器，其特征在于，传感器包括高温基底1、敏感薄膜2、连接层3、连接保护层4以及引出导线5，所述敏感薄膜2制备于高温基底1上，是由硼化钛基前驱体油墨经激光烧结、诱导钝化形成由玻璃相硼酸硅抗氧化保护的硼化钛导电通路，所述连接层3设于敏感薄膜2上用于连接所述引出导线5，所述连接保护层4覆盖于连接层3上用于抑制由于连接层3与敏感薄膜2的热膨胀差异引起的断裂失效，所述引出导线5位于连接层3与连接保护层4之间，用于引出敏感薄膜2的电信号，所述传感器为热阻式温度传感器；所述前驱体油墨由硼化钛粉末、碳化硅粉末、异丙醇、甘油和聚乙烯吡咯烷酮组成，所述激光为532nm连续绿光。
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