山东大学张茂杰获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利含联噻唑类间隔基的低聚受体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119192205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411333573.6，技术领域涉及：C07D519/00；该发明授权含联噻唑类间隔基的低聚受体及其制备方法和应用是由张茂杰;韩晨雨;国霞设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本含联噻唑类间隔基的低聚受体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种含联噻唑类间隔基的低聚受体及其制备方法和应用。本发明低聚受体是以联噻唑类作为桥联间隔基，向外连接以苯并噻二唑BTP单元或喹喔啉Qx单元或吩嗪Pz单元为中心核的小分子受体。本发明含联噻唑类间隔基的低聚受体具有较好的光捕获能力，合适的电子能级以及较强的分子堆积；作为电子受体材料应用于有机太阳能电池中，具有较高的光电转化效率。
本发明授权含联噻唑类间隔基的低聚受体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种含联噻唑类间隔基的低聚受体，其特征在于，所述低聚受体是以联噻唑类作为桥联间隔基，向外连接以苯并噻二唑单元为中心核的小分子受体，具有如下式I所示结构： 其中，式Ⅰ中, R1选自氢、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基、C1～C30的烷硫基、之一；其中，R3为C1～C30的烷基中的任意一种； R2选自氢、C1～C30的烷基、C1～C30的烷氧基或C1～C30的烷硫基中的任意一种； 拉电子基团A选自下述结构之一： 拉电子基团B选自下述结构之一： 其中，R4为C1～C8的烷基中的任意一种； 桥联间隔基C选自下述结构之一： 其中，R5为C1～C10的烷基中的任意一种。
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