中硅(山东)硅铝新材料有限公司张铸锋获国家专利权
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龙图腾网获悉中硅(山东)硅铝新材料有限公司申请的专利一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194592B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411335521.2，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及方法是由张铸锋;张培信设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及方法，属于碳化硅单晶生长技术领域。本发明提供的PVT法生长碳化硅单晶的装置包括晶体生长坩埚、坩埚连接体、原料坩埚和加热器；所述晶体生长坩埚竖直设置，晶体生长坩埚的顶部设置有籽晶；所述坩埚连接体连通晶体生长坩埚和原料坩埚；所述原料坩埚用于盛放碳化硅粉料且至少设置2个，每个原料坩埚采用独立的加热器进行控制；所述原料坩埚的中轴线与重力方向的夹角小于等于90°。本发明的装置可以生长得到厚度更大的碳化硅单晶，同时生长得到的碳化硅单晶具有更高的质量稳定性。
本发明授权一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种PVT法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于，采用一种PVT法生长碳化硅单晶的装置，所述装置包括晶体生长坩埚、坩埚连接体、原料坩埚和加热器； 所述晶体生长坩埚竖直设置，晶体生长坩埚的顶部设置有籽晶； 所述坩埚连接体连通晶体生长坩埚和原料坩埚； 所述原料坩埚用于盛放碳化硅粉料且至少设置2个，每个原料坩埚采用独立的加热器进行控制；所述原料坩埚的中轴线与重力方向的夹角小于等于90°； 所述一种PVT法生长碳化硅单晶的方法包括如下步骤： 步骤一、将碳化硅粉料置于原料坩埚中，将籽晶固定于晶体生长坩埚顶部，将原料坩埚、坩埚连接体和晶体生长坩埚依次连接，装炉； 步骤二、对原料坩埚、坩埚连接体和晶体生长坩埚内部进行抽真空处理； 步骤三、将所有原料坩埚同时升温至第一预设温度，然后恒温； 步骤四、将其中一个原料坩埚升温至升华温度，恒温设定时间，然后将其余原料坩埚依次重复“升温至升华温度、恒温设定时间”的步骤，直至所有原料坩埚中的碳化硅粉料不再发生升华； 步骤五、降温，得到碳化硅单晶。
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