西安电子科技大学吴边获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于有耗超表面和AMC结构的低RCS F-P谐振腔天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119209016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411292833.X，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权基于有耗超表面和AMC结构的低RCS F-P谐振腔天线是由吴边;刘冉;张玎;赵雨桐;翟会清;苏涛设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于有耗超表面和AMC结构的低RCS F-P谐振腔天线在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于有耗超表面和AMC结构的低RCSF‑P谐振腔天线，包括：位于上部的吸收型部分反射表面结构和位于下部的馈源天线结构；吸收型部分反射表面结构包括有耗超表面层、金属贴片共地层和金属贴片AMC1层，三者之间用第一和第二介质基板层间隔开；馈源天线结构包括天线贴片层、金属地板层、同轴结构和第三介质基板层，天线贴片层与金属地板层相对设置在第三介质基板层之上，同轴结构连接在天线贴片层与金属地板层之间。本发明采用对PRS结构单元两端口的吸波及反射性能进行分析的方法，简化了低RCS、高方向性以及高增益F‑P天线一体化设计的过程，同时有效降低了天线整体剖面，更容易与其他射频器件集成使用。
本发明授权基于有耗超表面和AMC结构的低RCS F-P谐振腔天线在权利要求书中公布了：1.一种基于有耗超表面和AMC结构的低RCSF-P谐振腔天线，其特征在于，包括：位于上部的吸收型部分反射表面结构1和位于下部的馈源天线结构2； 其中，所述吸收型部分反射表面结构1包括有耗超表面层11、金属贴片共地层12、金属贴片AMC1层13、第一介质基板层14和第二介质基板层15；所述第一介质基板层14设置在所述有耗超表面层11与所述金属贴片共地层12之间，所述第二介质基板层15设置在所述金属贴片共地层12与所述金属贴片AMC1层13之间； 所述馈源天线结构2包括天线贴片层21、金属地板层22、同轴结构23和第三介质基板层24，所述天线贴片层21与所述金属地板层22均设置在所述第三介质基板层24之上，且相对设置；所述同轴结构23连接在所述天线贴片层21与所述金属地板层22之间。
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