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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技有限公司申请的专利等离子发生装置及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119243097B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411233315.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权等离子发生装置及控制方法是由张陈斌;沈健;葛青涛;郭俊伟;王世宽;宋永辉设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子发生装置及控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离子发生装置及控制方法，等离子发生装置包括：工艺腔体；载台，用于承载基片；所述载台安装在工艺腔体的底部；靶材背板安装在工艺腔体的顶部；直流电源，所述直流电源的负极与靶材背板连接，用于输出并向靶材背板施加第一负高压V负1；可控高压电源，所述可控高压电源的负极与高压电极板连接，用于输出并向高压电极板施加第二负高压V负2；所述第一负高压V负1和第二负高压V负2用于叠加产生靶材表面的高压电场；控制器，用于根据第一负高压V负1的电压变化控制可控高压电源自动调节第二负高压V负2；本发明有助于工艺气体辉光放电，促使等离子体形成；且能够提升原子利用率以及提升填孔工艺的台阶覆盖率。

本发明授权等离子发生装置及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子发生装置，其特征在于，包括： 工艺腔体1； 载台2，用于承载基片3；所述载台2安装在工艺腔体1的底部； 靶材背板4，用于承载靶材5；所述靶材背板4安装在工艺腔体1的顶部，与所述载台2相对而设； 直流电源6，所述直流电源6的负极与靶材背板4连接，用于输出并向靶材背板4施加第一负高压V负1；所述直流电源6的正极接地； 可控高压电源7，所述可控高压电源7的负极与高压电极板8连接，用于输出并向高压电极板8施加第二负高压V负2；所述高压电极板8与靶材5靶面平行且与靶材背板4绝缘；所述第一负高压V负1和第二负高压V负2用于叠加产生靶材5表面的高压电场；所述可控高压电源7的正极接地； 控制器9，用于根据第一负高压V负1的电压变化控制可控高压电源7自动调节第二负高压V负2；使得在启辉阶段、磁控溅射阶段第一负高压V负1与第二负高压V负2的电压和V和相同； 所述高压电极板8安装在靶材背板4背离靶材5的那一面，并通过间隙或绝缘层与靶材背板4绝缘。

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