上海交通大学林祖德获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利锚定0/2维磁性金属的MXene基电磁屏蔽材料及其制备和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119277742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411394759.2,技术领域涉及:H05K9/00;该发明授权锚定0/2维磁性金属的MXene基电磁屏蔽材料及其制备和应用是由林祖德;温运通;刘景全设计研发完成,并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本锚定0/2维磁性金属的MXene基电磁屏蔽材料及其制备和应用在说明书摘要公布了:本发明提供一种锚定02维磁性金属的MXene基电磁屏蔽材料及其制备和应用,该电磁屏蔽材料包括MXene材料、近0维磁性合金微球和2维片状磁性金属,MXene材料具有片层结构,磁性合金微球和片状磁性金属嵌入在MXene材料的片层之间,磁性合金微球的质量占电磁屏蔽材料总质量的8.3%‑33.3%,片状磁性金属占电磁屏蔽材料总质量的8.3%‑33.3%。该电磁屏蔽材料的制备方法采用阴离子表面活性剂与超声工艺的直接复合方式。本发明的制备方法工艺简单,易于把控成分比例,所制备的电磁屏蔽材料电磁损耗机制丰富,有效屏蔽带宽大,电磁屏蔽效能显著,在MEMS传感器封装、汽车电子产品、隐身战机、可穿戴电子设备上的防电磁干扰上均具有广泛的应用前景。
本发明授权锚定0/2维磁性金属的MXene基电磁屏蔽材料及其制备和应用在权利要求书中公布了:1.一种锚定02维磁性金属的MXene基电磁屏蔽材料,其特征在于,所述电磁屏蔽材料包括MXene材料、近0维的磁性合金微球和2维的片状磁性金属,所述MXene材料具有片层结构,所述磁性合金微球和所述片状磁性金属嵌入在MXene材料的片层之间,所述磁性合金微球的质量占所述电磁屏蔽材料总质量的8.3%-33.3%,所述片状磁性金属占所述电磁屏蔽材料总质量的8.3%-33.3%。
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