华中科技大学常海欣获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于Ga基超室温范德华铁磁材料的电控磁性器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411362486.3，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种基于Ga基超室温范德华铁磁材料的电控磁性器件及制备方法是由常海欣;张高节设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于Ga基超室温范德华铁磁材料的电控磁性器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于Ga基超室温范德华铁磁材料的电控磁性器件，属于磁性器件技术领域。包括自下而上的Ga基超室温范德华铁磁材料、非磁半导体、Ga基超室温范德华铁磁材料和非磁栅介质；还包括四个电极；第一、第二电极分别与上层Ga基超室温范德华铁磁材料接触；第三电极与下层的Ga基超室温范德华铁磁材料接触；第四电极与非磁栅介质接触。所用的Ga基超室温范德华铁磁材料的居里温度400～800K以下实现高低组态的有效切换，临界电流密度低至4Acm2量级；器件的室温隧穿磁阻可以被栅极电压‑20V～20V或栅极电流‑100μA～100μA有效地调节，调节幅度为30％～300％。
本发明授权一种基于Ga基超室温范德华铁磁材料的电控磁性器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Ga基超室温范德华铁磁材料的电控磁性器件，其特征在于，所述电控磁性器件为薄膜异质结结构，包括自下而上的Ga基超室温范德华铁磁材料、非磁半导体、Ga基超室温范德华铁磁材料和非磁栅介质； 所述电控磁性器件还包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极；所述第一电极和第二电极分别与上层Ga基超室温范德华铁磁材料接触；所述第三电极与下层的Ga基超室温范德华铁磁材料接触；所述第四电极与非磁栅介质接触；所述第一电极和第二电极用于施加脉冲电流，所述第一电极和第四电极用于通过施加栅极电压或栅极电流来调控器件的隧穿磁阻，所述第一电极和第三电极用于测量电压； 所述Ga基超室温范德华铁磁材料为Fe3-aGabTec或Fe5-dGeeGafTeg，其中-4≤a-2或2a3，0.01b3，0.01c5，2d5，0.01e3，0.01f3，0.01g5。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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