滁州捷泰新能源科技有限公司卢爽获国家专利权
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龙图腾网获悉滁州捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种对单晶硅进行硼扩散的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119287522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411379993.8，技术领域涉及：C30B31/02；该发明授权一种对单晶硅进行硼扩散的方法是由卢爽;杨阳;王德玲;鲁伟震设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种对单晶硅进行硼扩散的方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种对单晶硅进行硼扩散的方法，其中，包括：将单晶硅经过预处理、亲硼薄膜层生长后得到表面为亲硼薄膜层的单晶硅；将表面为亲硼薄膜层的单晶硅在氧气和硼源的存在下进行反应，得到覆盖亲硼薄膜层的B2O3薄膜层；将经过两次薄膜层生长的单晶硅在无氧的条件下进行第一硼扩散反应，冷却，除膜后在氧气存在的条件下进行第二硼扩散反应，然后单晶硅在氮气和氢气的条件下进行消硼反应，得到硼扩散单晶硅。本申请利用亲硼薄膜层和氢气辅助推进技术，在不超过940℃的条件下实现了较深的PN结和高方阻的硼扩散效果，有效避免了高温对硅片本体的损伤，提升了太阳能电池的转换效率，并为后续生产复杂结构的太阳能电池提供了便利。
本发明授权一种对单晶硅进行硼扩散的方法在权利要求书中公布了：1.一种对单晶硅进行硼扩散的方法，其中，包括： 将单晶硅经过预处理、亲硼薄膜层生长后得到表面为亲硼薄膜层的单晶硅； 将表面为亲硼薄膜层的单晶硅在氧气和硼源的存在下进行反应，得到覆盖亲硼薄膜层的B2O3薄膜层； 将经过两次薄膜层生长的单晶硅在无氧的条件下进行第一硼扩散反应，冷却，除膜后在氧气存在的条件下进行第二硼扩散反应，然后单晶硅在氮气和氢气的条件下进行消硼反应，得到硼扩散单晶硅； 所述单晶硅在SiH4、B2H6、Ar和H2的存在下反应，反应温度为200~300℃，在所述单晶硅表面形成第一亲硼薄膜层； 所述表面为第一亲硼薄膜层的单晶硅在SiH4,B2H6,Ar与N2O的存在下反应，反应温度为300~400℃，得到在覆盖所述第一亲硼薄膜层的第二亲硼薄膜层。
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