北京理工大学郭芃获国家专利权
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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种基于MXene喷涂转移的光纤错位型折射率传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119291844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411088449.8,技术领域涉及:G02B6/12;该发明授权一种基于MXene喷涂转移的光纤错位型折射率传感器是由郭芃;吴尚保;冯立辉;崔建民;刘鹏宇;谭慧桢;卢继华设计研发完成,并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于MXene喷涂转移的光纤错位型折射率传感器在说明书摘要公布了:本发明属于光纤传感器制备技术领域,涉及一种基于MXene喷涂转移的光纤错位型折射率传感器。所述传感器根据光的传播方向分布引入单模光纤、引入无芯光纤、多模光纤、引出无芯光纤、引出单模光纤及MXene材料;引入无芯光纤和引出无芯光纤间经错位熔接连接多模光纤;多模光纤包括错位多模光纤包层及错位多模光纤纤芯;MXene材料涂覆于引入无芯光纤、错位多模光纤包层及引出无芯光纤表面;引入单模光纤及引入无芯光纤之间;引出无芯光纤与引出单模光纤间对准熔接。引入单模光纤用于引入光源;引入无芯光纤作为光线扩束器,激发包层模式输出到多模光纤;错位多模光纤包层、错位多模光纤纤芯通过错位结构激发多模光纤的多模干涉效应。
本发明授权一种基于MXene喷涂转移的光纤错位型折射率传感器在权利要求书中公布了:1.一种基于MXene喷涂转移的光纤错位型折射率传感器,其特征在于,在光的传播方向上分布有引入单模光纤、引入无芯光纤、多模光纤、引出无芯光纤、引出单模光纤以及MXene材料层;所述引入无芯光纤和引出无芯光纤间经错位熔接连接多模光纤; 所述多模光纤包括错位多模光纤包层以及错位多模光纤纤芯; 所述MXene材料层涂覆于引入无芯光纤、错位多模光纤包层及引出无芯光纤表面; 所述引入单模光纤与引入无芯光纤连接;所述引入无芯光纤连接错位多模光纤包层;错位多模光纤包层与引出无芯光纤连接,所述引出无芯光纤连接引出单模光纤;所述引入无芯光纤、多模光纤、引出无芯光纤连接引出单模光纤;所述错位多模光纤包层与错位多模光纤纤芯连接; 所述错位多模光纤包层、错位多模光纤纤芯通过错位结构激发多模光纤的多模干涉效应; 所述错位熔接采用的放电模式为多模光纤熔接模式且所述错位熔接的位移比例为30%到80%的多模光纤直径。
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