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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利一种双出射方向的Micro-LED结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411428799.4，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权一种双出射方向的Micro-LED结构及其制备方法是由赵见国;张玉尧;武志勇;徐儒;常建华设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双出射方向的Micro-LED结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双出射方向的Micro‑LED结构及其制备方法，其结构包括向上晶面为非极性面的N型GaN层、掩膜层、N型InxGa1‑xN三角岛、量子阱层、P型层、电极以及其它功能层。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得具有高度对称性的N型InxGa1‑xN三角岛，并在三角岛的两个对称斜面上生长LED外延层，形成双出射方向的Micro‑LED结构，可作为近眼裸眼三维显示的基础显示单元；同时，在三角岛斜面上生长相互独立的外延LED结构，可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高发光效率；以密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。

本发明授权一种双出射方向的Micro-LED结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双出射方向的Micro-LED结构，其特征在于：包括自下而上依次设置的向上晶面为非极性面的N型GaN层101、含有微孔阵列的掩膜层102、In组分为0≤x≤0.35的N型InxGa1-xN三角岛103、应变调控层104、量子阱层105、载流子调控层106、In组分为y的P型InyGa1-yN层107、与P型InyGa1-yN层107具有良好欧姆接触的PL电极108和PR电极109、与N型GaN层101具有良好欧姆接触的N电极1010；其中，N型InxGa1-xN三角岛103底部从掩膜层102的微孔中向上外延生长获得，除底部外包含两个左右对称的三角形斜面和一个与底面垂直的三角形侧面；应变调控层104覆盖整个N型InxGa1-xN三角岛103左右两个斜面，但未覆盖N型InxGa1-xN三角岛103中间的棱边处；当N型InxGa1-xN三角岛的摩尔组分x≤0.05时，应变调控层104为1~3周期的自下而上的GaNAlx1Ga1-x1NGaN复合层，其中Alx1Ga1-x1N的厚度小于3nm，x10.15；当N型InxGa1-xN三角岛的摩尔组分0.05x0.15时，应变调控层104为1~3周期的自下而上的GaNAlx1Ga1-x1NGaNInxGa1-xN复合层，其中InxGa1-xN的摩尔组分x就是N型InxGa1-xN三角岛的摩尔组分，Alx1Ga1-x1N的厚度小于2nm，x1=2.5×x±0.05；应变调控层104、量子阱层105、载流子调控层106、P型InyGa1-yN层107、PL电极108或PR电极109均左右对称设置于N型InxGa1-xN三角岛103的斜面上，且同一结构的参数完全相同；左侧的应变调控层104、量子阱层105、载流子调控层106、P型InyGa1-yN层107、PL电极108、N电极1010与左侧的N型InxGa1-xN三角岛斜面构成Micro-LED结构L；右侧的应变调控层104、量子阱层105、载流子调控层106、P型InyGa1-yN层107、PR电极109、N电极1010与右侧的N型InxGa1-xN三角岛斜面构成Micro-LED结构R；其中左右两组量子阱对称覆盖在应变调控层104顶部，面积相同且互不连接，其形状与N型InxGa1-xN三角岛103斜面一致；当量子阱发光波长分别为红、绿、蓝光时，其量子阱对数分别为1~2对、2~4对、3~5对；量子阱的层结构为Inx2Ga1-x2NGaNAlx3Ga1-x3NGaN，其中x3=2.5×x2±0.05，并且Inx2Ga1-x2N的厚度为2~4nm，两层GaN和Alx3Ga1-x3N的总厚度不超过6nm；载流子调控层106是电子阻挡层或空穴注入层两者中的一个；其中电子阻挡层为2~8周期的、单个周期厚度小于8nm的Aly1Ga1-y1NGaN超晶格，其中摩尔组分y1在0.1~0.6之间并Aly1Ga1-y1N的厚度成负相关关系；空穴注入层为P掺杂的整体厚度小于30nm的Aly2Ga1-y2NIny3Ga1-y3NGaN超晶格，Mg元素掺杂浓度为5×1017cm-3~1×1019cm-3之间，其空穴浓度不高于1×1018cm-3；N电极1010分别位于向上晶面为非极性面的GaN层101顶部或底部并建立良好的欧姆接触；当N电极1010设置于顶部时，位于InxGa1-xN三角岛两斜面前方，N电极1010与N型InxGa1-xN三角岛103无接触；当N电极1010设置于底部时，N电极覆盖整个向上晶面为非极性面的N型GaN层101的底部。

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