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龙图腾网获悉南京阿吉必信息科技有限公司申请的专利一种带有光隔离全彩显示阵列结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411404165.5，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种带有光隔离全彩显示阵列结构的制备方法是由王国宏;李璟;郭德博设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有光隔离全彩显示阵列结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电器件技术领域，公开了一种带有光隔离全彩显示阵列结构的制备方法。该方法包括以下步骤：首先在硅基氮化镓外延片上设置LED材料结构，采用ICP刻蚀工艺形成LED台面，并建立阵列结构。然后通过进一步刻蚀，实现子像素的隔离，确保蓝、红、绿三色发光区域的精准分布。在此基础上，设置透明电极和欧姆接触层，形成行控制线电极，并通过优化欧姆接触，提升导电性和减少接触电阻。接着使用有机绝缘材料和无机光学膜构成光隔离柱，防止像素间光串扰，提升显示画质。最后通过沉积N面电极、喷涂荧光粉及集成驱动电路，完成全彩显示阵列的制备。本发明的制备方法提高了显示阵列的光效和色彩表现，适用于高分辨率、高亮度的光电显示应用。

本发明授权一种带有光隔离全彩显示阵列结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带有光隔离全彩显示阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：制备阵列结构，在基板设置LED材料结构，形成LED外延片；采用ICP刻蚀工艺除去部分外延层，形成LED台面，LED台面形成阵列结构； S1包括S101:基板材料的选择，S102:LED材料的结构设置，S103:LED台面阵列结构； 其中，S101:基板材料的选择，使用硅基氮化镓外延片作为基板材料，计算晶格失配度和热膨胀系数失配，具体如式1-式2； 式1； 式2； 其中，是晶格失配度，和分别表示GaN和Si的晶格常数；是热膨胀系数失配度，分别表示GaN和Si热膨胀系数失配；式1和式2用于计算氮化镓与硅基材料之间的晶格失配度和热膨胀系数差异，进而通过调整工艺参数来优化材料性能； S2：隔离子像素，阵列结构上分别设置有蓝色的像素单元，采用ICP刻蚀工艺继续刻蚀基座，使蓝色像素单元分隔成蓝色发光区域、红色发光区域和绿色发光区域； S2包括S201:基座进一步刻蚀，S202:光刻掩模控制区域，S203:处理应力与晶格失配； 其中，S203:处理应力与晶格失配，针对硅基氮化镓外延片与LED外延片中氮化镓材料层之间的晶格失配问题，采用优化刻蚀工艺和退火处理，具体如式8-式9； 式8； 式9； 其中，是应力，是弹性模量，是温度变化是泊松比；是晶格失配率，是硅基氮化镓外延片的晶格常数，是LED外延片中沉积的氮化镓材料层的晶格常数； S3：制备行控制线电极，将LED台面上设置透明电极和欧姆接触层形成P面电极，将每个子像素的P面电极连接起来形成行控制线电极； S4：制备光隔离柱，将有机绝缘柱通过涂敷和光刻方法形成第一部分；将无机光学膜通过薄膜沉积和刻蚀方法形成第二部分；将第二部分套设于第一部分上；将光隔离柱设于像素单元间隙之间； S5：制备列控制线电极，在像素单元间隙中制备N面电极，将每个子像素的N面电极连接起来形成列控制线电极； S6：喷涂子像素，对基板背面减薄抛光，采用喷涂工艺对准每列子像素，采用喷涂工艺对准每列红色发光区域和绿色发光区域，依次涂覆红色荧光粉和绿色荧光粉； S7：增加驱动电路，对基板正面引出的P面电极和N面电极增加驱动电路，完成制备晶圆级显示阵列。

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