重庆大学尹志刚获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119307142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411385175.9，技术领域涉及：C09D133/02；该发明授权一种基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料及其制备方法和应用是由尹志刚;刘昌东;王晓雁;马凤廷设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料及其制备方法和应用，属于介电薄膜材料和器件的技术领域。本发明基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料，具有显著增强的电容和离子迁移能力，可用于开发对不同脉冲电压具有多电平响应的有机晶体管存储器，器件在‑1.5伏低工作电压下可实现0.548伏的宽记忆窗口。该类存储器还表现出良好的静态和动态存储特性，并可通过编程栅极脉冲电压，实现对不同大小记忆窗口的精确调控和识别。本发明构筑的新型聚合物电解质杂化介电薄膜材料及其多级存储特性的有机晶体管存储器，具有结构简单、性能优良、易于规模化制造等优点，在低功耗光电子器件及存储技术领域将呈现良好的推广应用前景。
本发明授权一种基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于无机氯化物掺杂的聚合物电解质杂化介电薄膜材料，其特征在于，所述聚合物电解质杂化介电薄膜材料包括聚合物电解质材料和掺杂的无机氯化物，其中所述无机氯化物的质量占无机氯化物和聚合物电解质材料总质量的0.05~20wt.%； 所述聚合物电解质材料为丙烯酸类聚合物电解质或其衍生物、由聚丙烯酸和聚乙二醇共混形成的聚合物电解质复合介电材料、由聚丙烯酸和聚乙烯醇共混形成的聚合物电解质复合介电材料中的至少一种； 所述无机氯化物为氯化锌、氯化钙、氯化铁、氯化铜、氯化钴、氯化镁、氯化锂、氯化钠或氯化钾中的任意一种或几种。
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