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龙图腾网获悉重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411408192.X，技术领域涉及：H10D86/00；该发明授权一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构是由刘建;赵明琪;税国华;刘青;杨法明;肖添;路婉婷;张金龙;陆泽灼;陈俊吉;曹荐;谭星宇;刘广川设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构，方法包括依次形成双多晶自对准双极结型晶体管的N型一次埋层103、NMOS的P型一次埋层104、PMOS的N型二次埋层105；在SOI硅衬底上形成外延层106；在外延层106中形成NMOS的P型阱区107以及PMOS的N型阱区108；形成双多晶自对准双极结型晶体管和NMOSPMOS的全介质岛隔离等步骤。本发明的半导体器件可实现高性能NPNPNP与CMOS器件的各种组合，有效提升工艺整体器件特性，以满足更广泛及更高需求的应用技术领域，提升芯片电学性能。

本发明授权一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成CMOS器件的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1提供SOI硅衬底； 2依次形成双多晶自对准双极结型晶体管的N型一次埋层103、NMOS的P型一次埋层104、PMOS的N型二次埋层105； 3在SOI硅衬底上形成外延层106； 4在外延层106中形成NMOS的P型阱区107以及PMOS的N型阱区108； 5形成双多晶自对准双极结型晶体管和NMOSPMOS的全介质岛隔离，包括槽隔离氧化层109、槽隔离多晶硅110； 6进行双多晶自对准双极结型晶体管的集电极N型穿透111注入，且与N型一次埋层103相连接； 7形成选择性氧化结构的场氧层112，漂洗掉多余的氮化硅和氧化层，在双多晶自对准双极结型晶体管和NMOSPMOS区域中分别形成有源区和场区； 8进行栅氧氧化层的生长，形成栅氧层113； 9去除双多晶自对准双极结型晶体管区域的栅氧，保留NMOSPMOS区域的栅氧； 10淀积第一层多晶硅，先进行普注，接着使用光刻版依次进行双极型晶体管的N型P型以及NMOSPMOS的栅多晶注入； 11刻蚀去掉多余的多晶，形成双多晶自对准双极结型晶体管的多晶硅集电极114、多晶硅基极115以及NMOS的多晶硅栅极116、PMOS的多晶硅栅极117； 12进行NMOSPMOS的源漏重掺杂以及BACK端阱的重掺杂，形成P阱重掺杂118、N阱重掺杂121，NMOS的N型源区119、N型漏区120，PMOS的P型源区122、P型漏区123； 13淀积一层TEOS金属前介质层124，去掉氧化层和多晶，形成双极型晶体管的基区窗口； 14P型基区129注入，与多晶扩散到硅中的P重掺杂外基区128相连接通过多晶硅基极连接形成双基区； 15通过多次淀积刻蚀形成L型的侧壁结构发射区窗口； 16淀积第二层多晶硅，使用光刻版通过注入形成双多晶自对准双极结型晶体管的发射区，刻蚀出多余的多晶形成双多晶自对准双极结型晶体管的多晶硅发射极127，通过发射区退火，形成N型重掺杂发射区130； 17淀积金属，形成集成CMOS器件的集电极、发射极、源极、漏区、栅极、BACK端金属结构。

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