华中科技大学张敏明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于相变材料的多功能波导型光电子器件及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119335768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411796658.8，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种基于相变材料的多功能波导型光电子器件及其应用是由张敏明;周致远;郑爽设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于相变材料的多功能波导型光电子器件及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于光电子器件技术领域，涉及一种基于相变材料的多功能波导型光电子器件及其应用，具体为给所述光电子器件施加正偏压脉冲，使所述相变材料从晶态转化为非晶态，此时所述光电子器件用作加热器或波导移相器；给所述光电子器件施加第一正偏压脉冲，使所述相变材料从晶态完全转化为非晶态，然后对所述光电子器件施加第二正偏压脉冲，使所述相变材料从非晶态转化为晶态，此时所述光电子器件用作光衰减器或光探测器或波导移相器，所述第一正偏压脉冲的电压大于所述第二正偏压脉冲电压，所述第一正偏压脉冲的脉冲时间小于所述第二正偏压脉冲的脉冲时间，可实现所述光电子器件的高损耗、低损耗切换，具有探调一体的独特功能。
本发明授权一种基于相变材料的多功能波导型光电子器件及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于相变材料的光电子器件，其特征在于，其结构具体为：自下而上依次包括基底层1、下包层2、未掺杂光波导33、相变材料层34、相变材料缓冲层35，所述相变材料层34覆盖所述未掺杂光波导33的中间区域，所述未掺杂光波导33的四周边缘未覆盖所述相变材料层34，所述相变材料层34的内部两端分别间隔包埋P型掺杂波导31及N型掺杂波导32，所述相变材料层34的顶部两端分别与第一金属电极51、第二金属电极52连接，所述相变材料缓冲层35覆盖所述相变材料层34顶部未被第一金属电极51、第二金属电极52覆盖的区域，所述未掺杂光波导33、相变材料层34、相变材料缓冲层35未覆盖的面均被上包层4包覆，所述第一金属电极51、第二金属电极52的顶部露出所述上包层4。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励