华中科技大学朱金龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种存储器件电学性能缺陷的原位测量方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119339775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411249595.4，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权一种存储器件电学性能缺陷的原位测量方法及系统是由朱金龙;李明宇;赵杭设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器件电学性能缺陷的原位测量方法及系统在说明书摘要公布了：本发明属于电学性能检测领域，并具体公开了一种存储器件电学性能缺陷的原位测量方法及系统，其包括：将调制后的电子束辐射在待测器件表面目标位置，使辐射到目标位置的电子数量与时间呈正弦函数关系，采集目标位置的SEs信号采集目标位置的实际电位信号确定SEs信号和实际电位信号之间的比例系数将待测器件目标位置等效为电阻和电容并联的电路，根据比例系数SEs信号以及调制后电子束的电流信号计算得到目标位置的电阻R和电容C；根据多个目标位置的电阻R和电容C中的异常值，确定器件电学性能缺陷位置。本发明可以提高缺陷对比度，更好地提取缺陷信息，满足存储器件的电学性能原位测量。
本发明授权一种存储器件电学性能缺陷的原位测量方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器件电学性能缺陷的原位测量方法，其特征在于，包括如下步骤： 采集待测器件表面目标位置的实际电位信号； 将调制后的电子束辐射在待测器件表面目标位置，使辐射到目标位置的电子数量与时间呈正弦函数关系，采集目标位置的二次电子SEs信号； 计算目标位置的二次电子SEs信号和实际电位信号之间的比例系数； 将待测器件目标位置等效为电阻和电容并联的电路，根据比例系数、二次电子SEs信号以及调制后电子束的电流信号，计算得到目标位置的电阻R和电容C，计算式为： 其中，为比例系数的有效值，为调制后电子束的电流信号的有效值，为二次电子SEs信号的有效值；为二次电子SEs的初相位角，为调制电子束电流信号的初相位角，为比例系数的初相位角；为信号频率； 判定多个目标位置的电阻R和电容C中的异常值，其对应位置即为器件电学性能缺陷所在位置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励